Способ получения диодных матриц
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельству Сооз Соеетскик Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваКл. 42 п 1, 14 ов 887609/26-24) иЧПК б 06УДК 681.142(088,8 Комитет по делам зобретений и открцти при Совете Министров СССРБюллетень1 исання 17.П.196 Авторизобретения И. Савченко Заявитель Институт кибернетики АН УСС ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОДНЪХ МАТ Способ получения диодных матриц, апример, из микроэлектронных и - р - и (р - и - р)- матриц, путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные перекрестия матрицы, отличтогггийся тем, что, с целью устранения изолирующих участков в перекрестии и возможности биполярного 0 включения элементов (диодов), подают упомянутое напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя и - р (р - и)-перехода,Заявлено 07,111,1964 (ч"с присоединением заяПриоритетОпубликовано 18.Х 11,1Дата опубликования о Известны способы получения диодных матриц путем подачи напряжения по взаимно перпендикулярным шинам в заданные" перекрестия матрицы.Предложенный способ отличается тем, чтов заданные перекрестия микроэлектронной и - р - и (р - и - р)-матрицы подают напряжение той или иной полярности с амплитудой, превышающей напряжение лавинного пробоя и - р (р - и) -перехода.Это позволяет устранить изолирующие участки в перекрестии и получить биполярное включение элементов. Предмет изобретения
СмотретьЗаявка
887609
Институт кибернетики УССР, В. И. Савченко
МПК / Метки
МПК: G06G 7/46
Опубликовано: 01.01.1966
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-177688-sposob-polucheniya-diodnykh-matric.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения диодных матриц</a>
Предыдущий патент: 177687
Следующий патент: Генератор колебаний
Случайный патент: Барабанная сушилка для термочувствительных сыпучих материалов