Заряд для моделирования действия взрыва

Номер патента: 1764366

Опубликовано: 20.11.1996

Автор: Игбаев

МПК: E21C 37/00

Метки: взрывания, заряда

Устройство для взрывания заряда ВВ, включающее полое объемное тело, состоящее из двух фигур вращения вокруг одной оси, сопряженных между собой основаниями, одна из фигур выполнена в форме кумулятивной воронки, а вторая - с сужением с противоположной стороны от основания, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности взрывания заряда ВВ, сужение второй фигуры выполнено путем вращения вогнутой внутрь объемного тела образующей.

Номер патента: 1283383

Опубликовано: 15.01.1987

Автор: Шалагинов

МПК: E21C 39/00

Метки: горного, массива, моделирования, полости, среды, сыпучей, течения

...емкости нанесена координатная сетка (не изображена), в другой параллельной стенке выполнено отверстие с кольцевым пазом 2 по контуру. Устройство содержит также приспособление, выполненное в виде диска 3, закрепленного на нем пустотелого тонкостенного жесткого штампа 4 с направляющими 5. Штамп имеет в качестве рукояток полки 6. Внутри штампа имеется вкладьпд 7, служащий для образования торцовой стенкиполости и несущий рукоятку 8.Устройство работает следующим образом.Изготовляют штамп 4 и вкладыш 7, воспроизводящие форму полости, собирают их вместе на поворотном диске 3 с направляющими 5, который затем вставляют в круглый вырез стенки 1 емкости, поворачивают его до достижения требуемой ориентации имитируемой полости, При этом диск 3...

Номер патента: 1588179

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Серков

МПК: G21F 1/12, G21F 3/04

Метки: видов, двух, действия, защиты, излучений, ионизирующих, совместного, экран

...излучения в экоане.Экран содержит радиационно-защитные элементы 1 и 2. выполненные из двух 588179 А 1надцать элементов 2. выпол; енных из другого материала, причем ребра 4-7 треугольных пирамид располокены соответственно вдоль ребер 8, диагоналсй 9, диагналей граней 10 и отрезков 11 прямых,соединяющих точки пересечения диагоналей противоположных граней параллелепипеда. Каждая из пирамид касается любой соседней с ней иэ числа тех, которые выполнены из того же материала, только вершиной или одним из ребер, причем это относится как к пирамидам, образующим один параллелепипед, так и к пирамидам, принадлекащим соседним параллелепипедам.При таком расположении ни одна из пирамид не соприкасается гранью с другой, выполненной из...

Номер патента: 452013

Опубликовано: 30.11.1974

Автор: Медяков

МПК: G06G 7/48

Метки: вида, гистерезисных, зависимостей, магнитных, моделирования, неоднозначных, петель, упругих

...управляющий вход ко рого соединен через резистор с выходо 1,ут.тройства, а основной вход и выход бл управления коэффициентом передачи интеФнрующего усилителя соединены соответСт енно с входом и суммирующей точкой ин егрирующего усилителя,На черте о ства.Устройство со руюший усилитель функциональный п тор 3 соединен с 4 управлении ко тегрирующего уси; получаемая зависимость отличается от параллелограмма (11) наличием нулевой зоны, которая как бы разрывает петлю. Вэтом случае для того, чтобы плошадь петли осталась прежней (12), необходимо увеличить амплитуду колебаний аргумента Х1на величину Д . Величина Я 4 имитируетздесь тот промежуток (зазор или люфт,например, в механической передаче), который упругое тело проходцт, не подверга,...

Номер патента: 1702331

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Голиков, Жилин, Куликов, Лебедев

МПК: G01V 1/13

Метки: возбуждения, волн, поперечных, сейсмических

...является следствием ослабляющего действия замкнутого трубчатого контура, Это позволяет многократно повторять взрывы одного и того же заряда без разрушения полости скважины, а значит, и без изменения параметров сейсмических волн,Вместе с тем, ударная волна производит и прямое воздействие на грунт через боковые отверстия в трубчатом замкнутом контуре, существенно повышая степень сжатия породы на открытых участках. Симметричное распределение напряжений в пространстве, прилегающем к скважине, нарушается, что вызывает генерацию нескомпенсированных сил в горизонтальной плоскости параллельной дневной поверхности, Одновременно симметричная часть волны сжатия, распространяющаяся в направлении, противоположном боковым отверстиям трубчатого...