Генератор сверхвысоких частот

Номер патента: 645496

Формула

ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ, содержащий отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод установлен по оси симметрии диафрагмы.

Описание

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в установках СВЧ диапазона.
Известен генератор сверхвысоких частот, содержащий отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом.
Однако известный генератор сверхвысоких частот имеет большие габариты и вес.
Цель изобретения упрощение конструкции генератора.
Для этого в генераторе сверхвысоких частот, содержащем отрезок волновода, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод установлен по оси симметрии диафрагмы.
На чертеже изображен предлагаемый генератор.
Генератор содержит отрезок волновода 1, в котором установлена диафрагма с включенным в нее полупроводниковым диодом 2, диафрагма выполнена П-образной, а полупроводниковый диод 2 установлен по оси симметрии диафрагмы, а также корпус 3 генератора, фильтр нижних частот 4, теплоотвод 5, причем П-образная диафрагма образована стержнями 6, соединительной линией 7 и лепестками 8 диафрагмы, кроме того, диэлектрический изолятор 9 конструктивной емкости, образованный волноводом 1 и лепестками 8 диафрагмы, диэлектрический изолятор 10 конструктивной емкости, образованный волноводом 1 и соединительной линией 7.
Генератор работает следующим образом.
Индуктивное сопротивление, вносимое решетчатой диафрагмой, подключается параллельно емкости полупроводникового диода 2, величина его сопротивления определяется длиной l _с.л. соединительной линии 7, равной расстоянию между стержнями 6, и протяженностью (длиной) стержней 6 решетчатой диафрагмы (l_с.л.<

b/8), вдоль волновода 1.
Выбирая определенное расстояние между стержнями 6 (для 3-см диапазона волн l_с.л.=7-5 мм), осуществляют грубую настройку генератора (порядка нескольких сотен мГц на средней частоте 10 гГц).
Точная настройка частоты достигается путем изменения величины конструктивных емкостей, образованных лепестками 8 и теплоотводом 5. Для предотвращения утечки СВЧ мощности в цепи питания полупроводникового диода 2 предусмотрен фильтр нижних частот 4. Соединительная линия 7 и корпус 3 создают конструктивную емкость ячейки фильтра нижних частот 4.
П-образная диафрагма одновременно вносит индуктивность, компенсирующую емкость полупроводникового диода 2 на резонансной частоте (баланс фаз), и регулирует связь, протяженностью стержней 6 вдоль волновода 1, с нагрузкой, необходимую для выполнения баланса амплитуд.
Конструкция диафрагмы предусматривает замыкание токов СВЧ через стержни 6 и конструктивные емкости диэлектрических изоляторов 9 и 10.
При подаче определенного напряжения смещения на полупроводниковый диод 2 им в рабочем диапазоне частот в схему генератора СВЧ вносится отрицательное сопротивление. Изменяя расстояние между стержнями 6 и величину вносимого отрицательного сопротивления в генераторе СВЧ, можно добиться колебаний как при наличии внешнего сигнала, так и без него.

Рисунки

Заявка

2458014/09, 01.03.1977

Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова

Волощенко П. Ю, Волощенко Ю. П

МПК / Метки

МПК: H03B 7/14

Метки: генератор, сверхвысоких, частот

Опубликовано: 20.09.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-645496-generator-sverkhvysokikh-chastot.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Генератор сверхвысоких частот</a>

Похожие патенты

Способ электронной перестройки частоты генератора свч на лавинно-нролетном диоде

Номер патента: 273295

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Цебиев

МПК: H03B 9/00

Метки: генератора, диоде, лавинно-нролетном, перестройки, свч, частоты, электронной

...полупроводникового диода, что расширяет динамический диапазон.Н а чертеже изображена конструкция предлагаемого устройства.В волноводной секции 1 генератора размещены лавинно-пролетный диод 2 и поршень д. Путем выбора положения поршня относительно диода можно либо уменьшить, либо увеличить диапазон электронной перестройки генератора, а также измененить величину и знак крутизны перестройки, то есть можно управлять. ходом кривой электронной перестройки частоты генератора. Применение подобного способа перестройки позволяет улучшить параметры аппаратуры, в которой иапользуется генератор посредством подбора такого положения поршня, при котором увеличивается стабильность частоты, крутизна, линейность и диапазон частотной,...

Способ градуировки ослабителей (аттенюаторов) на сверхвысоких частотах (свч)

Номер патента: 104573

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Герценштейн

МПК: G01R 27/28, H01P 1/22

Метки: аттенюаторов, градуировки, ослабителей, сверхвысоких, свч, частотах

...осла)б)ггегя па 20 дб меныпс ямп,штуды олиы 1.Если провести яналогшо с дете.,-О)Ом, 1)5 б)1)тяО 1 ц 11 в кячествс сме - ситсля в пр 11 с;)1 ике СВЧ, то мОжн) с 1)1 т 111 что волн.) 1 и 2 И 1 раг ООЛЬ СИГ 11 Я 11 Я ОТ ГЕТСРОДП 1 Я, ВО3 играет рол 1, пр )нм 1 с)ого спг).1- ля, а в резусьт 1 тс ппсобразовян выделяется :про.ск 1")ч 11151 час.ота - , т. с. детектор 1 з 1 Срител); - ной линии, регистрирующий интерфсренцпонную картину волн 1, 2 и о, работает в резакмс,шейного преобразования (при указанных выше соотнопениях амплитуд волн 1 и .Ввиду наличия интерференци волн 1, 2 и ) амплитуда переменной компоненты тока детектора зависит от амплитуд волн 1, 2 и 3 и отсдви га фаз между ними, а следовательно, и от местоположения приемного...

Двухконтурный генератор свч на лавиннопролетном диоде

Номер патента: 330818

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Тагер, Цебиев

МПК: H03B 7/06

Метки: генератор, двухконтурный, диоде, лавиннопролетном, свч

...создает резонатор торопдального типа, одно 5 временно он является и держателем лиола 3.рабочая часть которого расположена в 1 изкоомной коаксиальной линии 1, служащей для подведения к диоду тока, питания, В той же коаксиальной линии 4 размещены чст вертьволновый дроссель 5 и резистор 6, предназначенный лля подавления паразитпых пнзОчастотных колеоаний, Волноволный энергии 7 связан посредством опа 8 с торо илальным резонатором. Винт 9 служит лля 15 регулировки выходной мощности ГЛПД, авинт 10 -- лля крепления диода. Зкв 11 валентная схема (см. фпг. 2) содержит индуктивность 11 и емкость 12 тороилального резонатора, блокировочную емкость И, инлуктив 20 ность 14 и емкость 15 лиола.Резонансная частота активно 1 О контура,...

Устройство для измерения мощности импульсного свч генератора

Номер патента: 1166003

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Кац, Сомов

МПК: G01R 21/06

Метки: генератора, импульсного, мощности, свч

...работает 20 следующим образом.При воздействии на полупроводниковый образец 1, расположенный в отрезке волновода 2, .включенного в измерительный мост 3, импульс СВЧ- мощ Фэсти сопротивления полупроводникового образца 1 изменяетсяИзмерительный мост 3 питается через одну из диагоналей от генератора 4 импульсов. Таким образом, появление сигнала в цепи другой диагонали измерительного .моста 3 возможно только в момент воздействия импульса от импульсов генератора 4. При отсутствии импульса СВЧ-мощности измерительный мост 3 сбалансирован и сигнала на его выходе нет. СВЧ-импульс, если он совпадает по времени с импульсом от генератора 4 импульсов, разбалансирует схему измерительного моста 3 40 и во второй его диагонали появится сигнал,...

Автоматический влагомер свч

Номер патента: 315996

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Берлинер, Лель, Семенов

МПК: G01N 23/14

Метки: автоматический, влагомер, свч

...волноводное регулирующее устройство, имеющее минимальные размеры ивес порядка десятков граммов.Предлагается бинарная система включенияп 4-р-г-и-структур между двумя трехдецибальными направленными ответвителями со 10связью по узкой стенке волновода, благодарячему обеспечивается отсутствие отраженногосигнала на входе устройства. Кроме того,можно получить равномерную шкалу в единицах влажности, то есть линеаризовать зависимость силы тока управления аттешоатораот влажности материала. Для этого предлагается несимметричное включение гг 4,-р-г-ггструктуры относительно геометрических осейволновода, показанное схематически на 20фиг. 2, где 14 - полупроводниковые элементы, 15 - резонансная диафрагма, 1 б - волновод, 17 - управляющий электрод....

Предыдущий патент: Способ селективного осаждения многослойных металлических покрытий для интегральных схем

Следующий патент: Устройство для развития мышц ног и рук

Случайный патент: Пневматический командоаппарат

В верх страницы