Источник многозарядных ионов

Номер патента: 1797448

Опубликовано: 09.07.1995

Автор: Черник

МПК: H01J 27/10, H05H 1/24

Метки: газоразрядный, дугоплазматронного, источник, плазмы, типа

...благодаря снижению загрязнения потока расширяется использование газоразрядных источников постоянного тока с присущей им простотой и высокой газовой экономичностью и применяется например в материаловедческих исследованиях и в технологии,разряд между полым катодом и анодом, Благодаря явлению ионной откачки давление в полости электрода возрастает и для его восстановления увеличивают проводимость 5 клапана 15. В канале 5 возникает геометри.ческое контрагирование разряда с характерными скачком потенциала и так называемым "плазменным пузырем", в котором формируется ускоренный пучок элек тронов, производящий интенсивнуюионизацию газа в канале 5 и аноде. Для положительных ионов этот скачок потенциала в канале является барьеоом,...

Номер патента: 1829878

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Балмашнов

МПК: H05H 1/46

Метки: источник, плазмы

Источник плазмы, содержащий цилиндрический резонатор, СВЧ-генератор, диэлектрическую разрядную трубу, размещенную соосно резонатору и соединенную с системой откачки и системой напуска рабочего газа, и магнитную систему в виде соленоидов, соосных с диэлектрической трубой и подключенных к источнику постоянного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности ионизации рабочего газа, источник содержит дополнительную магнитную систему, состоящую по меньшей мере из четырех электромагнитов, установленных симметрично относительно продольной оси симметрии разрядной трубы, причем каждый электромагнит подключен к источнику переменного напряжения таким образом, чтобы разность фаз...

Номер патента: 511751

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Березкина, Кауфман, Ковальский

МПК: H05H 7/00

Метки: источник, микроэлектроники, плазмы

...термокатода помещена на участке перехода аксиальцого магнитного поля через нулевое значение.На чертеже изображен источник плазмы для микроэлектроники, 30 Он содержит плазмотрон с вольфрамовым термокатодом 1 в виде бцфцлярной рпирали, вблизи которого помещен цилиндр 2, ограничивающий область разряда, Анод- корпус 3 имеет форму цилиндра, в которьш впаяна трубка 4 для полачц аргона. Корпус через керамическцю втулку 5 спаян с тугоплавкой диафрагмой 6 с отверстием для выхода потока плазмы. Поверх трубокохлаждения размещены кольца аксцальцо намагниченного постоянного мапшта 8. Керамическая шайба 9 с термокатодом 1 ц цилиндром 2 сделана съемной. Прц подаче аргона через трубку 4 и включении напряжения ца электролы внутри камеры зажигается...

Номер патента: 584704

Опубликовано: 20.10.2006

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, плазмы

Источник плазмы, содержащий соосно установленные электроды и магнитную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления отклонением струи плазмы, он снабжен узлом перемещения магнитной системы относительно оси симметрии источника.

Номер патента: 696982

Опубликовано: 20.10.2006

Авторы: Коршаковский, Красненьков, Кубарев, Мельников, Пушкин, Соловьев, Ткачев

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, плазмы

Источник плазмы, содержащий катод и охватывающий его цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью управления плазменной струей, он содержит узел перемещения, по крайней мере одного из электродов относительно оси симметрии источника.