Засед

Номер патента: 1111024

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Засед, Петров

МПК: G01B 7/34

Метки: датчик, поверхности, полупроводниковый, широховатости

...6 от стоковой области 7,которые сформированы в подложке 8.Затвор 9 отделен от канала 6 и области 7 слоем диэлектрика 10. КаждыйПЗС матрицы отделен от смежногоприбора областями 11, представляющими собой стоп-каналы для предотвращения растекания зарядового рельефа.Благодаря высокому продольномусопротивлению пьезоэлектрика (10 Ом м)Явзаимная изоляция отдельных ячеекдатчика на уровне пьезоэлектрика отсутствует,Для вывода информации из каждойпотенциальной ямы, связанной собластями 7 матрицы ПЗС, предусмотрены шины 12 подачи тактовых импульсов поперечных ПЗС-регистров 13,шина 14 передачи заряда в продольныйПЗС-регистрр 15 и шины 16 подачи тактовых импульсов продольного ПЗСрегистра 15, выход 17 которого представляет собой выход...

Номер патента: 1062784

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Вето, Вихров, Глебов, Засед, Минаев, Федотов

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающее

...считывания 1 .Недостатком этого запоминающего устройства с оптическим считыванием является сложность конструкции.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее матрицу МНОП-элементов (металл-нитрид-окисел-полупроводник), взаимодействующих зарядовым механизмом с элементами регистров сдвига 2,Недостатком известного запоминающего устройства является также сложность конструкции, обусловленная наличием туннельно-прозрачного (менее 30 А) слоя окисла.Целью изобретения является упрощение запоминающего устройства.Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем устройстве, содержащем полупроводниковую подложку, на одной поверхности которой нанесен изолирующий слой диэлектрика, электроды сдвига,...