Зайцезский

Номер патента: 420042

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Афан, Зайцезский

МПК: H02H 7/09

Метки: неполнофазныхрежимов, обнаружения

...напряжения в базу транзистора 5 через резистср 3 течет ток. Сопротивление резисгора 3 выбр;Ио тдк, что нри .ииимадьных,входном няппяжснии и коэффициснтс усилени 5 транзистора 5 псс.едрени удерхкивется ь 01- крытом ссстоянни. Ток эмиттера трднзисторд 5 создаст на резисторе 6 падение напряжение, болынее напряжения пробоя стдблитрона 10, соединенного с эмиттером транзистора 9, При этом в базу трднзис 1 ора 9 течет ток, удсрживяощг его в огкрытом состоянии. Ток кол. лектора транзистора 9 проходит через обмотку реле 1. Рслс включено.1 лягряжсис я конденсяторс 4 рдвно сумме падений напряжения нд переходах О 3 в эмипер трднзисгсров 5 и 9 и сабилитроне 10.При исчез;овен ии напряжения лОоо 1 из фаз сети илн отсутсгвии сдвига фдз между двумя лиоо...