Валитоиа

Номер патента: 359744

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Валитоиа

МПК: H01P 1/16, H03F 21/00

Метки: волн, гиперзвуковых, усилитель

.../,Гппсрзвуковые волны, возбужденные электрпчсскпм полем резонаторов 2 и 3 за счет внутреннего пьезоэффекта с поверхности крпстялла, распространяются одновременно вдоль выделенного кристаллографического напряв,ннпя г среде с дисперсией фазовой скороли. Как известно, это приводит к некоторой п рсдячс энергии от мощного сигнала накачки с частотой 2 т к основному сигналу с частотойЭффект повышения параметрического усиления в кристаллах класса 3 т, например 1.1 МО 11 ТаОп заключается в следующем. В сегнстоэлсктрических кристаллах 1.1 ЬОз, 11 ТяОа п др. замечена большая дисперсия диэлсктрической проницаемости е (со) . В свою очередь дисперсия диэлектрической проницаемости е(о) определяет дисперсию фазовой скорости и пропорциональна ей. Из...