Технологичехкое

Номер патента: 356731

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Специальное, Технологичехкое, Электрических

МПК: G01R 33/02, G01R 33/06

Метки: магнитного, напряженности, поля

...с способы характеризуются отсутствием лицейиой зависимости междувыходиым цапря)кеиием и напри)кеп постылизмеряемого мапитпого поля, что в осооеицости обнаруживается в области сильных магцитиых полей.ГО предлагаемому способу последовательцо с источником постоянного тока соедицяютдва одинаковых датчика, причем граци сбольшими скоростями поверхностцой рекомбинации носителей тока предварительио ориецтируют противоположно и,параллельцо измеряемому магнитному полю, а выходцое цапряжепие измеряют ца одном из соединенныхдатчиков,Это позволяет получить лицсйиую зависимОсть ВыходцОГО цаГр 51 жсяия От из.1 ер 5 е)1 дйиапряжеццости мап)итцого поля и расширитьдиапазон измерений,Принципиальная схема измереция предлагаемым способом дана на чертеже,Е --...