Табеев

Номер патента: 944574

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Ахтямов, Табеев

МПК: A61H 39/00

Метки: бессонницы, лечения, невротической

...и на данном этапе уточнить выбор конкретного чудесного меридиана це цредставляетСя ВОЗМС)я(цЫМ. С УЧЕТОМ ЭТОГО дЛИТСоЛЬНОСТЬ курса лечения 6 дней, рсцсптуру точек меняют через 4 лця, причем сеанс лечения начинался в 20 ч, а длительность его составляла .5 ч (см. табл. ). 4Мо 3 - между меридианами Ч, И, Х 11, Ю и т. д. Иначе говоря, и в последующие лния лечения рецептура подбирается в зависимости от акупунктурной диагностики.Пример. Больной с диагнозом неврастания с синдромом инсомнии (бессонницы). Проводят акупунктурную (клиническую и инструментальную диагностику) Инструментальная диагностика выявляет четкий разброс от физиологических границ следующих меридианов И 1 (мочевого пузыря), Х 1 (желчного пузыря), И (тонкой кишки), Х...

Номер патента: 931985

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Голубев, Табеев

МПК: F04F 1/00

Метки: агрессивной, ванн, гальванических, жидкости, насос, перекачивания, пневматический, погружной

...рабочую камеру 2 с приемным 1 Оклапаном З,трубу 4, попеременно сообщающую рабочую камеру 2 с атмосферой и источником (не показан) сжатого воздуха, и нагнетательный трубопровод 5, причем клапан 3 снабженпатрубком 6, заключенным в кожух 7,при этом последний закреплен натрубе ч посредством винта 8, установлен с возможностью вертикальногоперемещения и размещен в верхнейчастирабочей камеры 2. Насос такжесодержит прибор для измерения концентрации (не показан), размещенныйна нагнетательном трубопроводе 51985 Формула изобретения НИИПИ Заказ 3700/44 Тираж 671 Подписно Филиал ППП "Патент 3 93Предлагаемое устройство работает следующим образом.Насос опускается на дно гальванической ванны 1 .и закрепляется. Кожух 7 устанавливается на...

Номер патента: 608130

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Соловьев, Табеев

МПК: G05D 21/00

Метки: ваннах, водорода, гальванических, ионов, концентрации

...к клапану.На чертеже изображено устройство для регулироВания концентрации ионов водорода вгальванических ваннах.Она содержит ванну 1 с электролитом, блокуправления 2, датчик кислотности.З, сифон 4,25 всасывающую трубу (вход)5 эжектора 6, на60830 формула изобретения Составитель В. ПевзнерТекред О. Луговая Корректор С. Гатрушева Тираж 1033 ГТодписное Редактор Л, НароднаяЗаказ 2799/3 1 ИИПИ Государственного комитета С ио делам изобретений и 13035, Москва, Ж.З 5, Раунгск Филиал Г 11 П 11 атент, г Уж горовета Миннстро открытий я наб., д. 4/5 ул. Проектнагнетающая труба (вход) 7 которого соединена с отделнтелем жидкости 8, трубопровод 9 подачи газа в гальваническую ванну, на котором установлен клапан 10. Клапан О соедннен с блоком управления...

Номер патента: 303739

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иванов, Лиманов, Табеев

МПК: H05B 41/14

Метки: бесстартерного, зажигания, лампы12, люминесцентной

...огас мого устройства.Устройство для бесстартерного вкл очспця люхПесцентной лампы состоит цз ламы 1 с электродами 2 и 3, подключенной срсз диоды 4 - 7 к вторичным ООмоткам 8 ц 9 ндкаль - :ого трансформатора.Накальный трансформатор имеетерзц 1- Тю ОбхОтк 10, к которо 1 Подкло:си:. КО 1- десдтор 11, дроссель 12 и диод 13.Предлагаемое устройство работает следу:оцих образом.В момент зажигания лампыв од:н полу- период ток проходит через дроссель 12, диод, 13, первичную обмотку 10, конденсатор 11, В это врея вО вторичных ОбоОтказ вОзожда 10 тсЯ токиц з. ТОК, пРоходЯ чеРсз вторчцую обмотку д цдкаль:ого - .рансфорхатора, электрод 2 ц диод 4, нагревает электрод 2, Одновременно ток ъ проходя через вторичную Оомотку 9 накального трансформатора,...

Номер патента: 320084

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Всесоюзный, Дорожиого, Лиманов, Механизации, Табеев

МПК: H05B 41/16

Метки: газоразрядных, ламп, переменным, питания, током

...питается инесдами Изобретение касается устройств для питания газоразрядных ламп с подогревнымиэлектродами, в частности люминесцентных,от сети переменного тока.Известны устройства для питания газоразрядных ламп, например люминесцентных, вкоторых для увеличения срока службы электроды шуитированы резисторами с отрицательным коэффициентом сопротивления, атакже диодами. 1Однако в один из полупериодов, когдаэлектрод лампы является анодом, ток проходит только в одну сторону от катодного пятна:, в результате происходит интенсивноераспыление оксидного слоя спирали, что 1значительно снижает срок службы лампы.Целью изобретения является повышениесрока службы лампы,Для этого осуществляют шунтированиеэлектродов размыкающими контактами...

Номер патента: 264554

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лиманов, Табеев

МПК: H05B 41/18

Метки: 264554

...повышение срока службы лампы,Поставленная задача решается в соответствии с данным изобретением, представляющим собой дальнейшее усовершенствование изобретения по авт, св,187153, путем последовательного включения с каждым из указанных диодов, шунтирующих катоды, дополнительного диода и подключения питания к средней точке этих диодов.На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства, где электроды 3, и Эз люминесцентной лампы Л, включенной через дроссель Др в сеть питания переменного тока, шунтированы соответственнополупроводниковыми диодами Д Д 2 и Дз, Д.5 Для зажигания лампы служит стартер Ст,В момент зажигания лампы в один полупериод ток проходит через диод Д стартер Ст,электрод Э 2 и диод Дз,в результате чего...