Страгис

Номер патента: 949445

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Заверткин, Коробейников, Сальников, Страгис

МПК: G01N 25/02

Метки: минералообразования, полиморфных, превращений, температур

...вакуолям, порам, границам зерен, границам двойников ) ионов компенсаторов и вакансий, которые образуют центры и комплексы. При тепловом возбуждении кристалла моделируются те температурные условия, при которых происходило его образование, а также образование дефектов его структуры, в частности захват газово-жидких включений, Вследствие электрической раскомпенсации дефектов в результате гомогенизации н декрепитации включений, разрушения центров, диффузии ионов компенсаторов и вакансий в температурном интервалеминералообразования в объеме образца либо возникает изменяющийся электрический момент, и, как следствие, генерируются электромагнитные импульсы, либо при нагревании образца в электрическом поле фиксируются аномальные...