Скорюпин

Номер патента: 1346418

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Вениаминов, Демидов, Злотников, Попова, Скорюпин

МПК: B24D 18/00

Метки: алмазного, инструмента

...сильноточных ускорителей.Способность электрона создать дефект в кристаллической структуре определяется его энергией, минимальноезначение которой лежит в области0,3 - 0,4 МэВ. С ростом энергии более 1,0 МэВ вероятность создания дефекта возрастает однако резко увеличивается пробег электронов, что так же приводит к снижению скорости охлаждения поверхности алмазаП р и м е р 1, Алмаз в стальнойоправе размещается в анодном узле с 10 15 20 25 30 35 40 45 50 диодной камеры сильноточного ускорителя электронов. После откачки диодной камеры производится облучениеалмаза импульсом электронного пучка.Энергия электронов 0,4 МэВ; плотностьтока 1 кА/см ; длительность импульса 0,8 х 10 с,Алмаз в оправе был испытан на операции правки...