Шибакова

Номер патента: 1556642

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Гусева, Шибакова

МПК: A41D 27/26

Метки: верхнего, изделия, плечевого, узла, формирования

...с верхней частью проймы изделия, к верхнему слою плечевой накладки пристрачивают по внутреннему контуру нижний слой плечевой накладки, оставляя свободными контуры обеи х частей длиной 3 - 4 см, которые фиксируют между собой. 2 ил. чивый слой с торцовой линией для соединения с проймой изделия, нижний слойиз прокладочной ткани и размещенныймежду ними наполнитель, форма торцовойлинии нижнего слоя накладки соответствует форме торцовой линии верхнего слоянакладки, а длина ее определяется изсоотношения= 1. - (2 - 2,5)1,где- длина торцовой линии нижнего слоянакладки;1. - длина торцовой линии верхнего слоянакладки;1 - толщина наполнителя,Плечевую накладку крепят к изделию путем соединения с верхней частью проймы1556642 Формула изобретения Фаг...

Номер патента: 1398949

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Волосов, Клыков, Шибаков, Шибакова

МПК: B21D 3/10

Метки: калибровочный, штамп

...и повышение качества калибруемых поковок,На фиг. 1 изображен калибровочныйштамп; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1Штамп содержит верхнюю 1 и нижнюю2 плиты, состоящие их периферийной 3и запрессованной в нее центральной 4частей, материалы которых имеют соотЕь,ношение модулей упругости -(1,2 Еп1,6). На штампе установлен фиксатор 5поковки, ориентирующий последнюю симметрично относительно центральной 20части калибрующего участкаШтамп работает слецующим образом,Калибруемая поковка 6 устанавлива"ется на нижнюю плиту 2 штампа по фиксатору 5, ориентирующему поковку симметрично относительно центральной части калибрующего участка. При рабочемходе пресса происходит калибровка поверхностей поковки 6. Вследствие того, что периферийная часть калибрующего...

Номер патента: 1301925

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Бежанов, Гордезиани, Рчеулишвили, Шибакова

МПК: E02D 3/10, E02D 3/11

Метки: грунта, укрепления

...2 и крьппка 16 с вентильным приспособлением 17.Устройство для укрепления грунта работает следующим образом.Базовое средство с несущей рамой 1 и поднятыми в транспортное положение р;Вочими органами 2,3,5 и 6 устанавливается на месте начала работы. Включенный в работу транаееобразователь 2 постепенно с помощью силового цилиндра 15 заглубляется в грунт до проектной глубины. Затем начинает движение базовое средство с рамой 1, при этом в грунте образуется траншея с валиками грунта по сторонам. Как только траншея достигнет места расположения кротодренажного рабочего органа 3, последний включается в работу и посредством силового цилиндра 14 постепенно заглубляется в траншею до горизонтального положения. При последующем:...

Номер патента: 1125332

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Бежанов, Рчеулишвили, Шибакова

МПК: E02D 3/11

Метки: верхнего, грунта, откосов, слоя, укрепления

...тележке 6 на стреле 3 расположена верхняя подвижная вдоль нее тележка0 с прикрепленной к ней с помощью кронштейнов-фиксаторов 7 уплотняющей плитой 11 и гидроцилиндром 12 для ее подъема. Плита 11 имеет профиль, который необходимо придать укрепленной полосе грунта.Для осуществления движения тележек 6 и 10 вдоль стрелы 3 предусмотрена система управления, имеющая переключатели 13. 5 10 15 20 2-5 30 35 40 45 50 55 На верхнем конце стрелы 3 смонтирован барабан 14 для размещения на нем ленточной теплоизоляции в виде ковриков 15, соединенных между собой посредством планок 16, например магнитных, при этом длина одного коврика 5 равна длине укрепленной полосы.Машина работает следующим образом.После выполнения планировочных работ на откосе...

Номер патента: 444856

Опубликовано: 30.09.1974

Автор: Шибакова

МПК: E02D 3/10

Метки: грунта, укрепления

...изобретения - повышение эффективности термического способа укрепления грунтов.Достигается это тем, что грунт 15 облучают направленным потоком энергии сверхвысоких частот (СВЧ).Грунт, поглощая эдектромигнитные волны диапазона 10:т,1010 герц,ао нагревается, чему способствует низкая теплопроводность грунта, обеспечивающая концентрацию тепла во всем объеме облучаемого грунта. При энергии потока 1-100 вт/смз темпеатура грунта в слое, поглощйющем ВЧ-излучение, составляет 100-2000 оС,В качестве генераторов СВЧ используют магнетроны непрерывного или импульсного действия.На чертеже изображейа схема воздействия СВЧ-излучения на грунт.Воздействие СИ-излучения на грунт осуществляется следующим абра зом. СВЧ-излучение с выхода генераторйой лампы 1 с...