Саткевичюс

Номер патента: 543796

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Ключининкас, Ключникас, Саткевичюс

МПК: F16F 15/03

Метки: упругий, элемент

...подсоединяемым к источнику регулируемого напряжения 14.Расположение упругих звеньев, а тем самым и демпфирующих слоев, может быть горизонтальное так и вертикальное, в за висимости от действия внешних сил, Упругий элемент помещается между виброизолирующим объектом и источником возмущения (на чертеже не показаны), в емкость (на чертеже показана пунктиром), 15Под действием вибрации слои 1 пористой резины демпфирующего звена сжимаются и опять отходят назад, следовательно расстояние между упругими звеньями, образованными пластинами 4, то увеличивается, то 20 уменьшается.Этому способствует сдвоенное противоположно гофрированное их исполнение, а также расположение упругих звеньев в слоях демпфирующего звена со смешением на по ловину гофра...

Номер патента: 452833

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Владишаускас, Саткевичюс

МПК: G06G 7/06

Метки: аналоговых, коммутации, сигналов

...введенного тран- зистора 11 заземпкпючен катодом диотельности 12, анод которого соединен с выводом делителя напряжения 4, а коллектор дополнительного транзисторачерез -: зистор 13 подключен к источнику напря.кения и через резистор 14. к базе транзистоЯра входного блока,База транзистора 10 соединена с делителем напряжения 4 через встречно-последо вательно соединенные диоды 15 и диодный: элемент нечувствительности 16. 10 При отрицательном значении управляющего напряжения германиевые диоды 15и 16 проводят отрицательный ток, которыйчерез открытый транзистор 10 типа р-И-р,; ,заземляет входной блок 6, и через диод 8на вход усилителя 1 ток не проходит, Приувеличении управляющего напряжения 7. отнуля в положительную сторону, ток черездиоды 15...