Рудишин

Номер патента: 716424

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Гулько, Минц, Рудишин, Тоцкий, Худенко, Цыбин, Шиканов

МПК: G21G 4/04

Метки: источникадейтронов, лазерного, мишень

...водород, например титана: Т 10 - 1, 10 - 2 и подложки 3.Мишень работает следующим образом.На поверхность мишени, представляю. щую собой последовательность бинарных слоев, причем поверхностный слой716424 Формула изобретения Составитель Е. Медведев Редактор Т. Морозова Техред Т.Маточка Корректор С, цомакТираж 476 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5:"Состоит из металла, растворяющего водород, фокусируется излучение лазера.Толщины напыпенных слоев подбираютсятаким образом, чтобы одйн импульс лазерного излучения снимал один бинарный слоЪ в точке попадания излучения.Так, например, при длительности импульса лазера Ф - 20 нс, длине волныХ = 1,06 мкм, плотности...

Номер патента: 719355

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гулько, Минц, Рудишин, Тоцкий, Худенко, Цыбин, Шиканов

МПК: G21G 4/04

Метки: дейтронов, источник, лазерный

...11.Источник дейтронов работает следующим образом.Излучение лазера 7 фокусируется линзой 5 на мишейь 3, представляющую, как отмечено выше, последовательность бинарных сгоев, причем по- верхностный слой составляет дейтерид металла, растворяющего водород. Прк этом в зависимости от типа испольэуеьаях мишеней, которые мокнут разлкчасться толщкнами напиленных чередую- щихся слоев, устанавливается необходимый уровень плотности мощности, .Фокусируемой на мишень так, чтобы эа один импульс снимался бинарный слой напыленного вещества (например, ТО и 10). Зависимость толщины снимаемого лазерным импульсом напыленного слоя от плотности мощности может быть оценена для данного типа лазера экспериментально, С другой стороны, необходимо заметить, что...

Номер патента: 643048

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Гринченко, Гулько, Козловский, Минц, Плешакова, Рудишин, Рябов, Цыбин, Шиканов

МПК: H05H 5/02

Метки: нейтроннойтрубки

...электрод нз металла, содержащего изотопы. водорода, проводят термообработку деталей н запайку трубки, в затем распыляют этот электрод воздействием лазщного излучения.10Режимом напыления можно управлять нэменяя параметры генерации лазера, потенциал и температуру подложки. Кроме того, меняя .форму поверхности распыляемого металла,.можно, в случае различных 15 . конфигурвцн 1 нейтронообразующей мишени трубки, цобнваться подобия геометрий фронта образуемой плазмы н поверхностн мншенн, что должно позволить уиучшнть степень однородности мншенн. 20Согласно предлагаемому способу, сначала изготовляют электроды, корпус, оптическне окна, высоковольтные вводы, подложку мишени. Затем осуществляют электрическую полировку, травление, обез...