Пригорнева

Способ определения напряженного состояния массива грунта и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1643661

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Морозов, Мотовилов, Остюков, Пригорнева, Сидорчук, Шейнин

МПК: E02D 1/00

Метки: грунта, массива, напряженного, состояния

...в грунтпри помощи домкрата (не показан) со .свободной поверхности нли со дна скважины, При этом отделяемый от массива 55объем грунта 7 попадает во внутрьполого цилиндра 1, где вследствие увеличения диаметра верхнего участка 4полого цилиндра 1 и возможности грунта свободно перемещаться, напряжения в нем падают до нуля. При помощи датчика 6 измеряют это падение напряжений путем регистрации изменения величины потока инфракрасного излучения грунта, пропорционального падению напряжения в отделенном объеме грунта.Площадь центральной части торцовой поверхности отделяемого объема, на которой регистрируют. инфракрасное излучение (площадь под датчиком), назначают в пределах 0,05-0,25 площади торцовой поверхности отделяемого...

Способ определения напряженно-деформируемого состояния несущих конструкций крепи горных выработок

Загрузка...

Номер патента: 1328518

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Морозов, Мотовилов, Остюков, Пригорнева, Смородинов, Шейнин

МПК: E21C 39/00

Метки: выработок, горных, конструкций, крепи, напряженно-деформируемого, несущих, состояния

...типа РТН. Пополученным данным строят график зависимости ДИ От /П, с помощью которогоопределяют значение коэффициента пропорциональности А.При быстром нагружении конструкции крепи 1 с помощью приемника 4 опре - деляют изменение плотности потока ИК-излучения 11, по которому находят значение изменения суммы главных напряжений по формулесП = А аИ.45Конкретным примером использования данного способа является оценка напряженно-деформируемого состояния вертикальной крепи во время обратной засыпки пазух котлована за крепыш, ког.- 50 да приложение нагрузки происходит довольно быстро. По заранее изготовленным образцам определен характер взаимосвязи между изменением суммы главных напряжений и изменением плотности ИК-излучения. Зависимость эта в...