Поудияйнен

Номер патента: 1432725

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Зарецкий, Костенко, Ктиторов, Поудияйнен

МПК: H03F 1/30

Метки: лавинного, смещения, формирования, фотодиода

...на полупроводниковомдиоде датчика 2 при начальной температуре То. Значения напряжений блока 9 источников устанавливаются соответственно равными значениями напряжений на полупроводниковом диоде притемпературах, соответствующих точкамперегиба зависимости напряжения Пс,смещения фотодиода 7 от температурыТ (фиг. 2),Устройство работает следующим образом.При увеличении температуры фотодиода 7 уменьшается напряжение наполупроводниковом диоде датчика 2,поступающее на инвертирующий входусилителя 4. Это вызывает увеличениенапряжения на выходе усилителя 4,которое усиливается усилителями 8и 6 в соответствии с их коэффициентамипередачи и подается на фотодиод 7(фиг, 2, зависимость ц о ) .В результате изменится режим работы Фотодиода .7 и...