Потяк

Номер патента: 1800428

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Бобченок, Гаврищук, Крупкин, Перескоков, Потяк, Тралле

МПК: G02B 1/10

Метки: оптических, силовых, систем, элемента

...то видно увеличение в среднем в два раза. Хотя глубина 0,1 мкм, на которую проникают ионы кремния, составляет 3,7 ообщей толщины (2,65 мкм) просветляющей пленки и они не достигают границы раздела пленка-подложка, тем не менее облучение привело к увеличению адгезии пленки к подложке, так как при внедрении иона в твердое тело по его кристаллической решетке распространяется ударная волна, которая может генерировать дефекты на глубине 33 мкм. Этот фактор и приводит к образованию активных центров на поверхности подложки, перестройке структуры границы раздела пленка- подложка и уплотнению пленки, которая при напылении имеет рыхлую структуру.Испытания, проведенные после отжига дали значение (ъ = 5,70 + 3,15 МПа, Найдено, что имплантация ионов...