Поставская
Способ выращивания пшеницы в условиях искусственного климата
Номер патента: 893180
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Ольховой, Поставская
МПК: A01G 7/06
Метки: выращивания, искусственного, климата, пшеницы, условиях
...1,0; 2 П 504 0,1; СЙ 00 э 1Оф 43 МоО 6 0 5Со (ИОэ з 0 ф 7В почву перед посевом вносят минеральные удобрения на сосуд в количестве: суперфосфат двойной гранули" рованный - 2,5 г, аммиачную селитру " 3 г и сернокислый калий - 0,7 г.В сосуд для вегетационных опытов высевают по 8 зерен с проростками. В каждом варианте опытов по 18 сосудов, Варианты опыта друг от друга 1 О 20 КоличеУрожайностьзерна,г/сосуд Коэффи- Продолжициент тельность разино- периода жения вегетацииот всходов до колошения дни Продук"тивнаякус 3 г истость Вариант освещения ствозеренв колосе,шт. Известный способ Лампы ДРЛФ +1 лампы накаливания 1,8 26,0 60 22, 0 Лампы ДРЛФ - отфазы всходов дофазы кущения,18,6 3,3 22,6 19,0 Лампы ДРЛФ от фазы колошения до созревания...