Патшй

Номер патента: 333700

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алексин, Коробченко, Патшй, Хачиан

МПК: H03K 17/62

Метки: сигналов, слабых, стробирования

...вторичной обмотки.трансформатора 4. К общей точке соединенияклеммы дополнительного источника 8,питанияпостоянного напряжения и второго вывода.вторичной обмотки трансформатора 4 подключен анодом полупроводниковый диод 9, а катодом - к эмиттеру транзистора б. Резистор 10 имитирует внутреннее сопротивлениепамяти,Подлежащий стробированию сигнал 8, создаваемый генератором 2, через элемент связи(трансформагор 4) поступает на базу кремниевого транзистора б,На анод диода 9 от дополнительного источника 8 питания поступает высокий потенциал.При отсутствии импульса староба и сигнала 3положительной полярности высокий потенциал от дополнительного источника 8 питанияпоступает на базу и через диод 9 - на эмитззз 7 оо Составитель Л. Ба яи Техред...