Нани

Номер патента: 602972

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Абдуллаев, Багиров, Кулиев, Нани, Салаев

МПК: G06K 15/18

Метки: матричный, экран

...параппепьными эпектродалти,На чертеже показан описываемый экран./Он выполнен. в виде двух матриц 1 и 2,раздепенных прозрачной подпожкой 3. Горизонтапьные эпектроды 1, 2, 3 .ттматрицы 1 расположены с внешней стороны,своей подложки., На внутренней стороне матрицы 2 распопожены вертикапьные электроды1, 2,ттт, Такая же конструкция матФрицы 2. Матрицы 1 и 2 наложены одна надругую так, что гориэонтапьные н вертикальные эпектроды одной из них смещены относительно другой на расстояние Х/2 (расстояние между параппепьными эпектродами).П р и м е р, На одну ппоскость спюдяной подпожки топщиной 20-30 мм нанесеныпараппепьные эпектроды на расстоянии 1 мм,например, накпеиванием амапьгамнрованноймедной проволоки диаметром 40-60 мм. Надругую...

Номер патента: 560200

Опубликовано: 30.05.1977

Авторы: Абдуллаев, Мамедов, Мехтиев, Нани, Салаев, Юсифов

МПК: G03G 5/02

Метки: материал, электрофотографический

...слой толщиной 20 - 50 мкм затем шивают. аев, Э, Ю, Салаев, Р. Х, Нанихтиев и Ю. Г. Юсифовнамеки институт физики АНской ССР Оптимальное весовое соотношение использованных материалов при приготовлении фотографического слоя на основе соединения Сд 2 пба 54 составляет: 1 - 1,2 г измельченного 5 кристалла, 0,2 г полпвпнплбутпрала и 3 млспирта.Темновое сопротивление электрофотографпческого слоя на основе соединения Сд 2 пбаЯ, (р,) при 293 К равно =104 - : 10 - .10" ом см, а относительная фоточувствптельность соединения при освещенности 10 лк составляет р,/р, = 10.Спектральная область фоточувствительности Сд 2 пйа 54 лежит в пределах от 400 до 15 1000 нм с максимума при длинах волн светаг., = 4 з 0 нм, ле = 530 нм,Первым этапом технологии...

Номер патента: 467315

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Абдуллаев, Агаев, Гусейнов, Нани, Салаев

МПК: G03G 5/02

Метки: слой, электрофотографический

...среды нный в бенСс 1 баМ 4, где М - Яе иЭлектрофотографический слойется методом диспергированиясреде, При этом в качестве связуиспользуют полистирол, растворезоле. Измельченные кристаллыСс 1 ба,Бе, или СсИта,8 логии электрофотограполученных слоях явв темноте в поле кодствие низкой конценания в слоях ым этапом техно го процесса на их электризаци разряда, Всле уровней прилип СсИза,Яе 4Первфическоляетсяронноготрации диапергируют вльсию наносят нах используют или 25гу или алюминиеофотографическиевысушивают, присоотношение иссоставляет: 0,4 г 30 ые после синтеза ей среде. Затем эму и, в качестве которь белую чистую бума тинку. Далее электр щиной 20 - 50 мкм тимальное весовое нных материалов Юа,Б,процесс зациейПроц темновоипр актическесс...