Моргаловский

Номер патента: 1575126

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Анашкин, Захаров, Моргаловский

МПК: G01R 21/00

Метки: мощности, свч, термоэлектрический

...будет иметь вид экспоненциальных импульсов, среднее значение которыхпропорционально средней мощности импульсно-модулированных колебаний иизмеряется измерительным блоком ваттметра. Это напряжение через дроссель8 прикладывается к входу компаратора11 относительно его корпуса, соединенного с общей шиной, Поскольку. максимальное значение этого напряжения оказывается меньше опорного напряженияПол (порог срабатывания компаратора11),компаратор 11 не изменяет своего состояния,40Когда импульсно-модулированныеколебания на входе преобразователябудут такой величины, форти, длительности и периода повторения, что напряжение на выходе преобразователя превы сит, уровень опорного напряжения Ъпроизойдет изменение состояния компаратора 11 с "1" на "0",...

Номер патента: 1241136

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Анашкин, Манухин, Моргаловский, Сурков

МПК: G01R 21/04

Метки: мощности, сверхвысокочастотной, термоэлектрический

...следующим образом.На металлическую пластину 2 наносят,например напыляют,поглотитель 4,толщина которого выбирается из условия полного поглощения СВЧ мощностии хорошей .теплопередачи. Затем металлическую нластину 2 припаивают тугоплавким припоем по периметру к стенкам отрезка волновода 1,На одной стороне.изоляционной пластины 5 закрепляют, например напыляют, нагреватель 6 в виде полоски резистивного слоя с .контактными площадками (не показаны), к которымкрепят проводники 7, Сопротивление 1362резистивного слоя, например, 50 Ом выбирают из условия выделения на нагревателе необходимой мощности калибровки при работе с измерительным блоком. Подгонку сопротивления нагревателя 6 достигают"ошлифовыванием части резистивного...

Номер патента: 1234787

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Бровяков, Моргаловский, Полухин, Попов

МПК: G01R 29/08

Метки: параметров, поля, свч, устройствах, электромагнитного

...резонатора, индиии резонансной кривой отраженногоСВЧ-устройства сигнала и иэмереее резонансного уровня и нагрунной резонансной полосы, о т л и - а ю щ и й с я тем, что, с цельювьппения точности при определенииаметров электромагнитного поля вссогласоьанных и оконечных СВЧ-устствах, измеряют резонансный и внезонансный уровни отраженного отЧ-устройства сигнала при подключек нему со стороны источника элекомагнитного поля дополнительной реируемой неоднородности, модуль изу коэффициента отражения которойследовательно устанавливают изовий получения симметричной резонсной кривой и нулевого внерезонаного. уровня и асимметричной резонаной кривой и наибольшего внерезонаного уровня, нагруженную полосу ренанса измеряют по симметричной ренансной...

Номер патента: 1201929

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Бровяков, Гофин, Моргаловский, Пахомов

МПК: H01P 1/26

Метки: нагрузка, согласованная

...техникеСВЧ и может быть использовано в око печных звеньях мощных волноводныхтрактов,Цель изобретения - уменьшениегабаритов при сохранении пробивнойпрочности.На чертеже показана конструкциясогласованной нагрузки. Согласованная нагрузка содержитотрезок 1 прямоугольного волновОда, частично заполненный поглотителем 2, объем которого увеличивается в продольном направлении кконцу 3 отрезка 1 прямоугольноговолновода, а в поперечном направлении уменьшается к продольнойплоскости симметрии отрезка 1 прямоугольного волновода, Поверхность4 поглотителя 2 на границе разделазаполненной и незаполненной частейотрезка 1 прямоугольного волноводавыполнена вогнутой и имеет в поперечных сечениях синусообразнуюформу, а в продольных -...

Номер патента: 853563

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Качермина, Моргаловский, Чиняков

МПК: G01R 21/04

Метки: датчик, проходящей, сверхвысокочастотноймощности

...мощности содержит установленный в корпусе 1 полупроводниковый термопарный элемент 2 цилиндрической формы и объемную поглощающуто насадку 3, причем между торцом элемента 2 и насадкой 3 .размещен плоский резистор 4, имеющий тепловой контакт с элементом 2 и изолированный от него по щстаднному току.Датчик работает следующим образом. Его устанавливают в отверстие небольшого диаметра в стенке волновода. Мощность СВЧ ответвляется из передающего тракта через отверстие и за счет потерь в объгемной поглощающей насадке 3 нагревает торец полупровг;нтникового элемента 2, к которому припаян провод 5. Другой конец элемента 2 через корпус 1 соединен с волноводом н имеет с нвм одинаковуюираж 732 ударственного комитета обретений и открытий осква,...