Мицук

Номер патента: 468067

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Дьяченко, Мицук

МПК: F25B 25/00

Метки: холодильная

...установка отличается тем,что на линии горячего потока вихревойтрубы последовательно размещены греющаяповерхность генератора абсорбционной холодильной машины, имеющей конденсатор сдроссельным вентилем, и водяной охладитель,соединенный по газовому потоку с абсорбером, а дроссельный вентиль на выходеподключен к линии холодного потока,Это позволяет повысить холодопроизво вихревой трубы 1 который разделяет- ц рячий 3 потоки, Хо . вентиль 4 подаетсяпоток 3 направляность генератора 5 ной машины, имею-шей конденсатор 6 с дроссел лем 7, После генератора 5 дается водой в охладителе 8 ся в абсорбер 9, в котором и раствором, Обогащенный раствор насосом 10 в генератор 5. Об в генераторе 5 пары хладаген ся в конденсаторе 6, и через...

Номер патента: 454956

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Ивушкин, Мицук, Осипов, Топтаев, Чернышов

МПК: B21F 7/00

Метки: инструмента, отверстий

...с высокой степенью прямолинейности и повышения их жесткости по предлагаемому способу растяжение заготовки осуществляют с усилием, превышающим предел упругости, а скручивание производят до образования 0,3 - 0,5 витка на один сантиметр длины заготовки. Такая совокупность приемов обеспечивает прямолинейность электрода при изготовлении его из мягкого материала, например из медной проволоки малого диаметра (порядка 1 - 4 мм), и повышает жесткость электрода,Из таких электродов можно собрать комплект для одновременного прожига большого числа отверстий малого диаметра и с малым шагом расположения отверстий.5 Предмст изобретения Способ изготовления инструмента для обработки отверстий из стержневой заготовки 10 путем ее растяжения с...

Номер патента: 362451

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Мицук, Остроушко

МПК: H03K 5/24

Метки: всесоюзная, кgt, ппггг

...4.Предлагаемое устройство работает следующим образом.Источником смещения 5 выбирается рабочая точка туннельного диода б на восходящей ветви вол ьтамперной характеристики вблизи максимума. С помощью нагрузочного резистора 7 задается такой режим работы туннельного диода б, при котором характеристика нагрузки пересекает вольтамперную характеристику в трех точках: на восходящей ветви вблизи максимума, на участке отрицательного сопротивления и на диффузионной ветви, В этом режиме форма выходных импульсов туннельного диода имеет наименьшую зависимость от величины входного импульса.Входной сигнал положительной полярности после инвертирования поступает на расширитель 2 входных импульсов, расширяющий импульс на уровне пикового значения, С...

Номер патента: 344577

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кретинин, Мицук, Остроушко

МПК: H03K 7/08

Метки: амплитуды, временной, импульсов, интервал

...сопротивление,мало; также мала и постояиная времени цепи эмиттера. Вследствие этого,при воздействии входного импульса ток эмиттера транзистора 1 представляет собой производную входного напряжения. Этот ток протекает через коллекторный переход транзистора 1, диод б и заряжает конденсатор 8. Напряжение на .накопительном конденсаторе 8 является интегралом импульса тока коллектора.В момент начала спада входного импульса диод б запирается, и на накопительном конденсаторе 8 остается максимальное напряжение.344577 П р ед м е т и з о б рете ния Составитель В. Клюкин ктор А. Батыгин Текред Т. Курилко Корректоры: Г. Запорож и Т. Бабакиказ 2264/13 Изд,955 Тираж 406 ПодписноеНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров...

Номер патента: 296048

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дудко, Зубцовский, Мицук, Остроушко

МПК: G01R 19/12

Метки: времени, заряда, конденсаторов

...и и р-ссл Составитель А. Мермаа и Л. Корогод оказ 788/ ЦИИИП Тираж 473 Подппснизобретений и открытийтров СССРая наб., д. 4/5 8 Изд. М 348И 1(омитста по деламири Совете МиниМосква, Ж, Раушс гпоГрафи, ир. Сапунова, 2 пряжения конденсатор 7 заряжается по цепи резистор 2 - диод 4 - резистор 8, а конденсатор 6 - через резистор 8 и диод 5 до величины заданного опорного напряжения.При отсутствии на входе устройства напряжения диод 12 заперт, ключевое устройство 10 закрыто. С выходов генератора на закрытый вход ключевого устройства и управляющую сетку тиратрона поступают импульсы, не изменяющие состояние тиратрона и счетчика импульсов. Одновременно с подачей ко входу устройства нарастающего напряжения ключевое устройство 10...

Номер патента: 256391

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зубцовский, Кузнецов, Мицук, Остроушко

МПК: G01R 19/04, H03K 7/02

Метки: амплитудно-временной

...диодов 4 накопительного конденсатора 5, токостабилизирующей разрядной цепи б, усилителя 7 и мультивибратора 8.Устройство раоотает следующим образом.5 Измеряемый импульс подается через нелинейный делитель 1 и одни из диодов 4 на накопительный конденсатор 5 и заряжает его до напряжения, меньшего У, (У, - амплитуда входного измеряемого импульса). Одновременно входной импульс поступает на линию 2 задержки, с отводов и с выхода которой задержанные импульсы через согласующие каскады 8 и диоды 4 поступают вновь на накопительный конденсатор и дозаряжают его, благода ря чему конденсатор заряжается до амплитудного значения измеряемого импульса.Задержка импульса на каждост последующем отводе линии задержки больше задержки на каждом предыдущем...

Номер патента: 250304

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кузнецов, Липатов, Мицук, Остроушко

МПК: G01R 19/04

Метки: амплитудных, значений, измеритель, однократныхимпульсов

...1 и поступает на схему частотного фильтра 2, подавляющего паразитные высокочастотные колебанияследующие за измеряемым импульсом. С частотного фильтра измеряемый импульс поступает на усилитель - катодный повторитель и через ,чиоды заряжает запоминающий конденсатор.Компевсация зарядной погрешности осуществляется путем внесения компенсационной ошибки противоположного знака, но изменяющейся по тому же закону, что и зарядная,погрешность. В устройстве это происходит за счет предварительного заряда запоминающего конденсатора до одной и той же величины напряжения Ьо при любой амплитуде измеряемых импульсов.Предварительный заряд конденсатора диодЗаказ 3629/10 Тираж 480ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете МипистМосква...