Межнев

Номер патента: 834883

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Межнев

МПК: H03K 7/02

Метки: импульсный, магнито-тиристорныймодулятор

...17 с первичной обмоткой 18 и вторичной обмоткой 19.Модулятор работает следующим образом.Накопительный конденсатор 6 заряжается от источника 1 питания, через последовательно соединенные зарядный дроссель 2, Зарядный диод 3 и первичную обмотку 14 повышающего импульсного трансформатора 13 до двойного напряжения источника 1 питания. При по,даче запускающего импульса на управ ляющий электрод разрядного тиристора 5 энергия запасенная в накопительном конденсаторе 6, передается через повышающий импульсный трансформатор 13 и заряжает накопительный конденсатор 7. При этом сердечник 15 повьпцающегоимпульсного трансформатора 13 насыщается, индуктивность его вторичной обмотки 16 резко падает и накопительный конденсатор 7 перезаряжается на...

Номер патента: 750718

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Межнев

МПК: H03K 7/02

Метки: импульсный, модулятор

...цепь, состоящая йз последовательно соединенных шунтирующего диода 6, второго коммутирующего элемента 7 и резистивного делителя, состоящего из резисторов 8 и 9 и включенного параллельно линии формирования. Средняя точка резистивного делителя соединена с объединенными выводами шунтирующего диода и второго коммутирующего элемента, катод которого подключен к общей шине.К управляющим элекъродам и катодам первого и второго коммутирующих элементов подключены первые и вторые выходы управляющих элементов 10 и 11 соответственно, а между их входами включен элемент 12 задержки.Импульсный модулятор работает следующим образом.В паузе между импульсами черезцепь заряда 2 производится резонансный заряд линии 3 формирования до двойного напряжения...

Номер патента: 599344

Опубликовано: 25.03.1978

Автор: Межнев

МПК: H03K 7/00

Метки: импульсный, модулятор

...тиристора с нагрузкой через диод соединена с соответствующим выводом источника питанияНа чертеже приведена принц льная схема предлагаемого импул го модулятора.Модулятор содержит источник питания 1 с включенным параллельно его входу конденсатором 2, последовательно соединенными зарядным диодом 3 и дросселем 4, формирующую линию 5, Разрядный тиристор 6 включен между формирующей линией 5 и нагрузкой 7, которая через ограничительный диод 8 соединена с незаземленным выводом источника питания.Импульсный модулятор работает дующим образом.В паузе между импульсами через зарядный диод 3 и дроссель 4 заряжается формирующая линия 5 до двойного напряжения источника питания 1. При подаче запуска разрядный тиристор включается, и на нагрузке 7...

Номер патента: 455223

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Гольцов, Качанов, Межнев, Морозов

МПК: F16L 1/12, F16L 59/10

Метки: балластное, подводного, покрытие, трубопровода

...гиОт 1 т ООНРОВОда,тор ць( яжлОГО цн,1;1 нлр 1 чес 010 элемента ВЫИОЛНЕ:и В В 11 ЛС Ус,ННОГО КОИУСЯ, ЛпаМЕтР большего осиовяии 1 оро (- равен наружному (ия)1 ру элем;тя, я л;1 амстр меньшего О основ)нн 1 - Нару)ночу .(Нямстру изолированного трубопровода. 11 зобретеиие о писит 5 к обства переходов газо- и нефтводные преграды.Известно балластное н)крытие подводных трубопроводов, включаощее цилиндрические железобетонные элементы.Цель изобретения - повышетрубопровода.Это достигается тем, что торцы каждого цилиндрического элемента выполнены в виде усеченного конуса, диаметр большего основания которого равен наружному диаметру элемента, а диаметр неньи)его основания - наружному диаметру изолированного труооировода.На фиг. 1 изображен...

Номер патента: 288984

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гольцов, Качанов, Межнев, Морозов

МПК: B28B 21/82, F16L 9/08

Метки: железобетонного, образования, поверхности, покрытия, трубопровода, форма

...бетоннойсмеси в форму при постоянном вибрировании30 глубинными вибраторами. 20 Известна форма для образованиябетонного покрытия на поверхности твода, прокладываемого под водой, вщая полуцилиндрические оболочки совошыми петлями.Монтаж на трубопроводе предложеннойформы упрощается тем, что полуцилиндрические оболочки формы шарнирно закреплены нанесущем элементе типа балки, по концам которого смонтированы седловидные башмаки,опирающиеся на изолированный трубопровод,Кроме того, на внутренней поверхности каждой полуцилиндрической оболочки может бытьрасположен полукольцевой выступ.На фиг. 1 представлена форма для образования покрытия на поверхности трубопровода,общий вид; на фиг. 2 - то же, разрез по А -А на фиг. 1; на фиг, 3 - то же,...