Мастропас

Номер патента: 1758734

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Ересько, Крамаров, Лапин, Мастропас, Мясников

МПК: H01Q 17/00

Метки: поглотитель, свч-энергии

...конструктивный коэффициент аиз выражения (4) должен обеспечить требуемую величину коэффициента отражения для данной частоты 30 Й = ехр (-4 ак б/с),(8) 35 40 45 50 55 е 1, О - соответственно диэлектрическая проницаемость и концентрация растворителя;й, % - соответственно диэлектрическая проницаемость и концентрация наполнителя.В нашем случэве е 1 =1(воздух), следовательно, ек =.ц .:Пусть а =ео, ае= е(Ь), где е, - комплексная диэлектрическая проницаемость сегнетокерамики; Ь -текущая высота тела. В общем случае еоможно представить в видеИЕо = Ео + ) Ео,где е ео - соответственно действительиная и мнимая части диэлектрической проницаемости сегнетокерамики,Модуль комплексной диэлектрическойпроницаемости находится из выражения) ео 4 =6 о...

Номер патента: 1695252

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Безуглов, Мастропас, Мищенко, Мясников, Толстоусов, Тюриков

МПК: G02B 5/10

Метки: волнового, зеркальный, корректор, фронта

...системах,Цель изобретения - увеличение динамического диапазона зеркальногокорректора волнового фронта.На фиг, 1 представлена структурная 1 Осхема корректора, .на Фиг, 2 - внешний вид управляющих, электродов изготовленного образца зеркала-корректора,15Металлическая подложка 1 механически соединена с пьезокерамикой 2. Управляющие электроды 3 нанесены наобратную сторону пьезокерамики 2,Электрические выводы. 4, 5 соединены 20с гибкой подложкой 1 и управляющимиэлектродами 3. В центре адаптивногокфрректора волнового фронта со стороны гибкой металлической подложки 1к нему механически присоединена опора 256, служащая для закрепления. Пьезокерамика 2 поляризована нормально ксвоей поверхности. Электроды 3 длялучшего отражения...