Крятченко

Номер патента: 1379267

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Бекиров, Крятченко, Рунова, Соломин

МПК: C04B 12/00

Метки: вяжущее, контактного, твердения

...следующим образом.Бокситовый шлам естественнойвлажности затворяют серной кислотойи вводят сульфат магния. Смесь тщательно перемешивают до полного прохождения реакции, затем подвергаютмокрому помолу до получения ппикерасо степенью гидратации бокситовогошлама 10-307. удельная поверхностьшлама в зависимости от длительностипомола и степени гидратации составляет 2500-8000 см /г. Затем доводятвлажность вяжущего до формовочной,составляющей 25-307. При этом приемыдоведения влажности следующие: подсушка при с 00 С или введение в вяожущее наполнителей с пониженной влажностью, или выдерживание вяжущего втечение 5-6 ч,Из смеси при давлении 40,0 ЧПа прессуют образцы размером 4 4 16 см. Образцы твердеют как при нормалыых условиях, так и в воде,При...

Номер патента: 1226256

Опубликовано: 23.04.1986

Автор: Крятченко

МПК: G01N 27/46

Метки: твердоэлекролитная, ячейка

...обеспечивает длительный срок эксплуатации ячейки. Ограничение максимальной толщины электродов 1 О мкм в совокупности с минимальной толщиной твердого электролита (до толщин, обусловленных механической прочностью) обеспечивает оптимальность динамических характеристик электролитнай ячейки при низких температурах.Снижение толщины электродов ниже 10 нм усложняет обращение с ячейкой из-за увеличения вероятности механического разрушения электродов.Увеличение толщины патенциалосъемных электродов ведет к снижению газапраницаемости электрода, к снижению чувствительности и ухудшению динамической характеристикиячейки.Твердаэлектралитная ячейка с положительным электродам из чистого золота обладает малым линейным диапазонам.При больших...

Номер патента: 529450

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Крятченко

МПК: G05F 1/56

Метки: постоянного, стабилизатор

...5 сэединен с обшей точкой резисторэв 14, 15, а коллектортранзистора 6 - с базами транзисторов 10,11. Смещающий резистор 17 включен между интегрирующим конденсатором 16 и затвэрэм транзистора 4. Напряжения на резисре 17 и коллекторе транзистора 7 дифференцпальнэгэ усилителя близки по величинеи направлены встречно, При изменении выходного напряжения изменяется напряжениена резистэре 9,529450 сно нг, эектна Разность напряжений на эталонном резисторе 9 и опорного напряжения опорного источника 8 усиливается дифференциальным усилителем 5. Увеличение (уменыцение) напряжения на коллекторе 7 на эту же величину вызывает уменьшение увеличение) отрицательного потенциала на затворе управляющего трачзистора 4, что вызывает уменьшение (увеличение)...