Харатинов

Номер патента: 813991

Опубликовано: 23.06.1989

Авторы: Ефремов, Кальмус, Маслик, Семенюк, Соин, Харатинов

МПК: E02D 27/10

Метки: грунт, колодца, опускного, погружения

...стенки колодца.На фиг.1 изображена схема расположения зарядов в скважинах и внутрен 25ней кольцевой выемки; на фиг.2 - схема расположения скважин по периметруколодца; на фиг.3 - схема размещениякотловых зарядов,Опускной колодец 1 погружают вгрунт 2 путем образования скважин 3по контуру колодца с последующимопусканием колодца. Скважйны образуют на расстоянии, равном 0,75 диаметра,полости 4, Полость 4 возннкает в результате уплотнения грунта 5при взрыве располагаемого в скважине 3 заряда 6 ВВ. В образованныхскважинах размещают заряд ВВ, Затемпроизводят их взрывание одновременно во всех скважинах с образованиемкопьцевой попости 4. Скважины могутбыть образованы наклонно, причем вверхней части 7 они отстоят от наружной стенки 8 колодца на 0,3...