Ханат

Номер патента: 1292565

Опубликовано: 30.11.1988

Авторы: Городыский, Карпов, Колбасов, Павелец, Тараненко, Ханат

МПК: H01M 6/30

Метки: полупроводниковый, фотоэлемент, электрохимический

...использованию фотоэлектрода, состоящегоиз окисла ТОв качестве электрод"ного. слоя.и соединения СЙБеТепри х 0,4-0,7 в качестве фоточувствительного слоя, достигается высокое значение КПД фотоэлемента.Примеры осуществления,щлектрохимический полупроводниковыи фотоэлемент, состоящий из электролита,противоэлектрода и фотоэлектрода,в котором в качестве электродного слоя использован ТхО а в качеств Уве фоточувствительного слоя - поликристаллическое соединение Сс 1 Яе.Темгде х=0,4-0,7. В качестве рабочегоэлектролита исйользовался раствор1 ММа Я. + О, 5 МЯ + 2 МКОН.Противоэлектрод угольный. При измерениях КПДспектр падающего светового потокакорректировался к спектру солнечногоизлучения.Л р и,м е р 1. Фоточувствительный слой фотоэлектрода...