Хаман

Номер патента: 1199118

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Басов, Вайсмантель, Ербен, Плотников, Попов, Сагитов, Селезнев, Хаман, Шарф

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, накопитель, оптоэлектронного, устройства

...напряжения между слоями структуры под действием света.Накопитель работает следующим образом.При приложении к контактам 1 и 2 разности потенциалов ,. - Ю свободные носители тока, имеющиеся в областях4, разделяются электрическим полем 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 и собираются, соответственно, под электродами МЦПДМ-структуры, которыми являются проводящие покрытия 6 и 7. Большая часть приложенного напряжения падает на объединенной свободными носителями тока области пространственного заряда, образующейся в светочувствительной области 4 ( см. фиг.За).По этой причине электрическое поле в поляризующемся диэлектрике 5 мало, и поляризации диэлектрика не происходит. Если светочувствительная область 4 освещена светом, вследствие генерации...