Йоесоюзная

Библиотека

Загрузка...

Номер патента: 378542

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гусев, Йоесоюзная, Кочман

МПК: C25D 3/22

Метки: библиотека

...1,9 - 2,5, 55 - 65 С и3 - 30 а/дм,20ет получать блестяировать процесс,электролита.цинка, сернокислогоя и лимонной кислоне объема воды, пои вводят предвариоллоидный растворвают водой до тре 30 оцесс ведут при рН=дной плотности токаакой способ позволяосадки и интенсифицпособ приготовленияНавески сернокислогоия, хлористого натриастворяют в половиевают до 55 - 65 Сто приготовленный кзатем раствор долиого объема. После приготовления димо проработать при плотности тока (1 - 2 а вать через плотный филь Изобретение может б вано следующими пример Пример 1. Нанесение цинкового лялось из электролита г/л:сернокислыи цинксернокислый натрийхлористый натрийлимонная кислотастолярный клейи рН=2,5 и 60 С.В этом электролите4 мин осаждается покрытОсадки...

Библиотеи.,

Загрузка...

Номер патента: 376887

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Йоесоюзная

МПК: H03K 5/153

Метки: библиотеи

...Транзисторы1 и 2 - обратной, проводимости и включены последовательно с составными транзисторами 5 - б и 7 - 8, конденсаторы 9 и 10 включены параллельно им,10 Между эмиттерами составных транзисторов5 - б и 7 - 8 балансного эмиттерного повторителя включена первичная обмотка выходного трансформатора 11. Питание на схему подается через резистор 12. Сравниваемые интерва лы времени, представляющие собой нормированные по амплитуде импульсы, длительности которых соответствуют временным интервалам, подаются на входные клеммы 13 и 14.В исходном состоянии транзисторы 1 и 2 20 занерты, что препятствует заряду запоминающих конденсаторов 9 и 10. С приходом отпирающих импульсов на базы транзисторов 1 и 2 последние отпираются, и через них заряжаются...