Ивович

Номер патента: 1414953

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Григорьева, Ивович

МПК: E04H 9/02

Метки: жесткости, здания, многоэтажного, перекрытия, плиты, подвешенными, сейсмостойкого, соединения, узел, этажами, ядром

...1 псрскрьпия с ядрс) ) ) сс 1 Ос г) )О)ест)51 11 ис1 сж;ъ От всрст 11 я;)1 и 16 и папжпОИ кроми)1 22 пл)1 ты 1 ;рек)ьп 1 я должно быль нс цспс чем 11 а 31 ) )Ол)пс зазор;1 7.Уз.,1 со.,)нени 51 р )Отас слелук)п)м ОбО)ЗОМ14953 2При сейсмических нагрузках ниже определенной ведлицины узел соединения плиты 1 перекрытия и ядра 2 жесткости является жестким и проскальзывания между ними нет. Здание испытывает упругие колебания. Г 1 ри определенной величине сейсмических нагрузок начинается проскальзывание плиты 1 перекрытия по нижней грани 9 паза 8 при условии, что воздействуюцее усилие превышает сумму сил трения между пластинами 20 и 2 и предварительного поджатия пакета пружин. Одновременно пакет пружин, расположенный в направлении...

Номер патента: 1173524

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Дмитриев, Ивович, Лагойский

МПК: H03K 3/282

Метки: мультивибратор, управляемый

...управляющие импульсы отсутствуют. При этом режим транзистора 10 зависит только от амплитуды импульсов симметричного мультивибратора. Положительные импульсы проходят по цепи конденсатор 14 - коллекторный р-и-переход транзистора 10 - диод 11 - конденсатор 15. При этом конденсатор 14 заряжается знаком минус на коллектор транзистора 10, а конденсатор 15 - знаком плюс на эмиттер транзистора 10 р-п-р типа, Таким образом, создается условие нормального включения транзистора 10, Однако при малых значениях амплитуды импульсов мультивибратора заряды на конденсаторах 14 и 15 недостаточны для отпирания транзистора 10 и величина тока через транзистор 10 динамического элемента 9 минимальна - 0 (фиг, 2). С увеличением амплитуды У импульсов и...