H03B 9/14 — и элементов, содержащих распределенные индуктивности и емкости

Генератор радиоимпульсов

Загрузка...

Номер патента: 860273

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Андриянов, Сюваткин

МПК: H03B 9/14

Метки: генератор, радиоимпульсов

...от источника 7 в базе полупроводникового диода б накапливаются неосновные носители. При подаче импульса обратной полярности от источника 8 полупроводниковый диод б остается открытым в течение времени рассасыва-. ,ния неосновных носителей в базе полупроводникового диода б и шунтйрует8 б 0273 Поскольку амплитуда ударно возбуждаемых колебаний в широком диапазоне частот больше критической величины, то режим с гашением доменов будет осуществляться в значительно более широком диапазоне часгот-перестройки коаксиального резонатора 1.В течение радиоимпульса полупроводниковый диод б, смещенный в обратном направлении, не оказывает. влияния на СВЧ колебания в кэаксиальном резонаторе 1 и представляет собой емкость, влияющую на частоту...

Перестраиваемый свч-генератор

Загрузка...

Номер патента: 1385226

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Соловьев, Фалин, Шкаликов

МПК: H03B 9/14

Метки: перестраиваемый, свч-генератор

...настроечной характеристики при рассогласованной нагрузке.На фиг. 1 изображена конструкция перестраиваемого генератора СВЧ;на Лиг. 2 - то же, поперечное сечение.Перестраиваемый генератор СВЧ содержит генераторный диод 1,установленный в поперечном сечении отрезка 15 2 прямоугольного волновода, на одном конце которого установлен подвижный короткозамыкающий поршень 3. Между другим концом отрезка 2 и генераторным диодом 1 установлен реактивный 20 элемент, выполненный в виде механического Аазосдвигателя 4, который выполнен с возможностью одновременного перемещения с подвижным короткозамыкающим поршнем 3, посредством 25 механического привода 5Перестраиваемый СВЧ-генератор работает следующим образом.При подаче питающего напряжения на...

Полупроводниковый генератор

Загрузка...

Номер патента: 1060085

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Бородкин, Булгаков, Фисун, Фурсов

МПК: H03B 9/14

Метки: генератор, полупроводниковый

...образом.При подключении к полупроводнико- вому диоду 8 напряжения, превышаю щего пороговое значение, возникают колебания, излучаемые диодом 8. Электромагнитная энергия возбуждает настроенный в резонанс дополйитель 1060085ный открытый резонатор, квазиплоские волны которого обеспечивают положи-, тельную обратную связь в генераторе, а собственная частота обуславливает длину волны генерируемых колебаний. Расстояние, на котором расположены дополнительные зеркала 3 и 4 от центра нижнего зеркала 1 основного открытого резонатора, и углы, под которыми они ориентированы относительно оси основного резонатора, выбираются на основе закона геометрической оптики - равенства углов отражения и падения волнового пучка, исходящего иэ,центра одного из...

Генератор

Загрузка...

Номер патента: 1774460

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Булгаков, Кусайкин, Натаров, Скресанов, Шубный

МПК: H03B 9/14, H03D 7/14

Метки: генератор

...Волны (так называемые пространственные гармоники), грр - угол, падкоторь 1 м р-пространственная гармоникауходит от решетки, р - угол, под которымприходит падающая волна (углы измеряются от нормали к решетке против хода часовой стрелки).Случай, когда д, = о, т.е, происходитсовпадение угла падения волны и угла, подкоторым уходит р-пространственная гармоника, называется режимом автоколли-мационного Отражения и описываетсявыракениемОА зи гр= -- ; -2 40Открытый резонатор основной частоты 1 -- сЯ будем конструировать так, цтобы его ось была перпендикулярна поверхностидифракционнай решетки 2, т.е, гр =-. гр:= О, 45 Для того, чтобы в этом резонаторе не Возникали пространственные гармоники с рО, т,е. Ва избежание возникновения дифракционных...

Умножитель частоты

Загрузка...

Номер патента: 1805541

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Румянцев, Русинов, Харчев

МПК: H03B 9/14

Метки: умножитель, частоты

...при введении смещения от дополнительного источника постоянного напряжения,В предлагаемом УЧ диод 1 размещен в коаксиальной части 7, причем конструкция УЧ, представленная на фиг,1, позволяет изменить положение диода 1 на оси коаксиальной части, выбирая на этапе настройки оптимальное расстояние И от центра (кристалла) диода до центра траверсы 4 по максимальной мощности выходного сигнала. На фиг,2 представлена зависимость мощности выходного сигнала (эффективности умножения частоты при постоянной мощности входного сигнала) от расстояния 11. Откуда видно, что данная зависимость имеет максимум; причем максимальное значение мощности наблюдается в следующих пределах: 0,3 оИ 02 Мь (1) Граничные значения определяютуменьшенные в 2 раза...