H01L 29/54 — H01L 29/54

Номер патента: 291622

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Коломиец, Новик, Юрлова

МПК: H01L 29/54

Метки: переключатель, полупроводниковый

...завышению тока пробоя из-за наличия неизбежной пористости и шероховатости на поверхности графита.15Предлагаемый способ изготовления омических контактов состоит в следующем.Омические контакты выполняются в виде двух электродов, причем форма нижнего электрода представляет сооой плоскость, а 20 верхнего - полусферу. В качестве материала омических контактов предлагается стеклоуглерод.Преимущество стеклоуглерода в том, что он обладает зеркальной поверхностью, пористость которого составляет 0,2 - 0,4% по сравнению с пористостью графитов, лучшие марки которого имеют пористость порядка, 8 - 10/О.Кроме того, стеклоуглеродные омические контакты можно обезжиривать перед нанесе- ЗО нием слоя полупроводникового стекла, что является очень важной...