H01J 39/06 — H01J 39/06

Номер патента: 439031

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Литвинов

МПК: H01J 39/06

Метки: фотодатчик

...гчи 2 в себя фотодиод 1, тунконденсатор 3, индуктивка.Схеманельныйность 4.Фотодиодсветовой пот включа диод 2 Предме егистрируемыиотогальваниче инимае ключен Фотодатчи ий элемен ос и 72) Авторизобретения71) Заявитель Всесоюзный ском (вентильном) режиме, Последовательно с фотодиодом включены туннельный диод и параллельный колебательный контур, состоящий из конденсатора и катушки индуктивности, причем катод фотодиода соединен с анодом туннельного диода, а кол ебательный контур - с анодом фотодиода и катодом туннельного диода.При малых уровнях освещенности фото- диода вырабатываемый им ток мал и недостаточен для возбуждения колебаний ЕС- генератора, собранного на туннельном диоде, конденсаторе и катушке индуктивности, Когда ток...

Номер патента: 405470

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Брейдо, Козлов

МПК: H01J 39/06

Метки: неравномерности, фотокатодов, чувствительности

...ва,Предлагаемое устоо чают исследуемый при раино-лучевую труокуную электронно-лучеву 1 тор -, олок,1 пнтанич4 С 547) 11 П 11 Зах(аз 4901/:ЮОППП Патент, Г. Ужгород, ул. х Ц 1 оектхХа 51, 4 Фил литель 7 сигналов. йешифратор содержит развертывающие по осям Х и T, устпойства трубки 8 и Э, генератор 10 опорных напря - жений, схему совпадений 11.Лействует .устройство следуюппХМ образом.Растр тоубки-осветителя 2 с помощьхо фотообъектива 6 проецируется на катод исследуемого прибора 1, СиГнал, возникающий под действием светового потока раст- хп ра ца выходе прибора 1, подается либо непосредственно, либо через усилитель 7 на вход схемы совпадений 11. На второй вход схемы совпадений подается с генератора 10 опорное нах 11 яжение, которое...

Номер патента: 537410

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Климин, Настюкова, Щекина

МПК: H01J 39/06

Метки: сурьмянощелочного, фотокатода

...- невозможность получения высокой квантовой эффективности в синей области спектра,Целью изобретения являет увеличение квантовой эффективности в ней области спектра.Это достигается тем, что по предлагаемому способу после обработки слоя в парах цезия производят повторную обработку в парах калия при температуре 200 - 220"С до достижения максимума фототока. Способ изготовления заключается в следующем.Напыляется слой сурьмы до 30% потерипрозрачности в парах калия при температуре 180 - 200 С до достижения максимума фото- тока. Полученный фоточувствительный, слой прогревается при температуре 260 - 280 С до получения, максимума фототока, активируется в парах цезия при температуре 150 в 1 С, затем активируется в парах, калия при температуре...

Номер патента: 544017

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Белов, Куфаль, Плиев

МПК: H01J 39/06

Метки: фотоприемник

...11 и Ш до 1 - 5 бо - локаль орус хожденияУстройство работает следующим образом.Световой пучок входит в призму 1 через дополнительный оптический элемент П под углом к фотокатоду, необходимым для полного внутреннего ОТОажения от границы фотокатод-вакуум (45 ), Отражаясь от фотокатода в точке О, световой пучок последовательно попадает на боковую отражающую грань 1, на верхнее основание призмы и на следующую грань 2, От этой грани световой пучок вновь попадает на фотокатоц в точке О, затем на боковую отражающую грань 3, на верхнее основание призмы на боковую отражающую грань 4, после которой световой пучок опять попадает в точку О фотокатода, Попадание пучка в точку О обеспечивается тем, что высота Н призмы связана с радиусом Р 1 вписанной...

Номер патента: 549848

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Вичинюк, Самченко, Фуртак

МПК: H01J 39/06

Метки: параметров, приборов, стабилизации, фотоэлектронных

...на аноде и стенках колбы атомов щелочных металлов и молекул остаточных газов. Анодное напряжение значительно пре та били(45) Дата опубликования вышает потенциал понизации остаточных газов, поэтому фотокатод подвергается ионнои бомбардировке, что приводит к частичному его распылению (очистке), особенно тех участков его поверхности, которые имеют повышенную чувствительность в длинноволновой области спектральной характеристики фотоэлемента. Одновременно с этим выводится излишек цезия, оольшая часть которого, как известно, находится на поверхности фотокатода. Распыляемый лоток атомов и молекул фото катода служит своего рода геттером, связывающим на свободной поверхности колбы фотоэлемента молекулы остаточных газов, в том числе и атомы...

Номер патента: 519042

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Климин, Мостовский, Немченок

МПК: H01J 39/06

Метки: фотоэлектрический, эмиттер

...в оптическом диапазоне длин волн светового излучения, содержащий основу иэ полупроводникового материалас дырочной проводимостью и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующей поверхность основы до состояния отрицательного электронного сродства 2 .Однако этот эмиттер имеет неод"ную основу, что приводит к ухудю характеристик из-за недостаой,.устойчивости основы к темпе- рным воздействиям. ормула изобретения нородшениточирату Изоб ам элек ом ваку ам, и и акуумных ителей,Извес а дснов Я.ель изобретения - повышение ческой устойчивости и однородосновы эмиттера. Фотоэлектронный эмитт ненный на основе соедине А В 4 С, например Ъ бвР более высокой однороднос можностью длительного во повышенной температуры п его основы. Ю...

Номер патента: 626454

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Ладанов, Проценко, Самородов

МПК: H01J 39/06

Метки: мозаичный, фотокатод

...которых перпендикулярно полосам подложки.15 На чертеже схематично изображен предлагаемый фотокатод.На стекло 1 нанесены полупрозрачныеметаллические полосы 2 с шагом й, и зазором между ними Л 7 ь Полосы имеют выводы20 3. На подложку цз полос нанесен полупрозрачный фотоэмиссионный слой 4, который, в зависимости от технологии его создания, может быть либо сплошным и поэтому закрывать зазоры между полосами, либо в виде полос, покрывающих только полосы подложки. На расстоянии а от фотоэмиссионного слоя перпендикулярно полосам подложки расположены металлическиенити 5 с шагом 7 гкаждая цз которых так 30 же имеет вывод,12) 6454 тисской с 5 зи, локации, дальнометриии т, д. Мозаичный фотокатод, содержащий полупрозрачнуо металлическую...

Номер патента: 864379

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Джевала, Кузнецов, Мечетин, Черкасова, Чижов

МПК: H01J 39/06

Метки: приборов, тренировки, фотоэлектронных

...накоторых не возникает напряженности поля,достаточной для поверхностной десорбцииза счет электростатических сил, дополнительно к высокому анодному напряжениюи облучению фотокатода вводится прогревприбора. Максимальная температура проогрева (80-150 С) лимитируется необратимыми изменениями свойств фотокатодаи зависит от его типа, При медленномувеличении температуры происходит десорбция газов с приповерхностных слоев,поверхности и глубины материала поверхности, на которую проникает электрон.При максимальном анодном напряжении,Облучении фотокатода и температуре откачивают десорбированцые молекулы и атомы до минимально ВОзмОжнОГО давленияПосле чего медленно ступенями снижаютанодное напряжение до нуля с тем, чтобыгазы, находящиеся в толще...