H01G 3/075 — H01G 3/075

Способ стабилизации емкости последовательно и встречно включенных электролитических конденсаторов

Загрузка...

Номер патента: 468310

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Иванов, Солончук

МПК: H01G 3/075

Метки: включенных, встречно, емкости, конденсаторов, последовательно, стабилизации, электролитических

...конденсаторов не ос ной и зависит. как от величи го к конденсаторам напряжения, так и отих предшествующего состоянияЦель изобретения - повышение стабильности емкости встречно-последовательносоединенных полярных электролнтическихконденсаторов., Достигается это тем, чтокаждый конденсатор. предварительно подэаряжают не менее, чем до половины напряжения входного сигнала.На чертеже представлена схема последовательной КС-цепи со встречно включенными полярными конденсаторами (два варианта). Схема содержит резистор 1, сопротивлениекоторого равно В ;саторы 2 и 3, емкость крых равна С; источник 4равного величине Е,Для автоматически управляемых процессов, длительность которых не превьпцает времени самораэряда конденсаторов,предложенный способ...

Диэлектрический материал

Загрузка...

Номер патента: 470872

Опубликовано: 15.05.1975

Автор: Чернобровкин

МПК: H01G 3/075

Метки: диэлектрический, материал

...при изготовлении тонкопленочных конденсаторов для интегральных микросхем.Известен диэлектрический материал на основе смеси окислов редкоземельных элементов, например иттрия и диспрозия для тонкопленочных конденсаторов.Недостатками известного диэлектрического материала являются, невысокая электрическая прочность конденсаторов на его основе и низкая надежность.С целью повышения электрической прочности конденсаторов в предлагаемом диэлектрическом материале указанная смесь дополнительно содержит окись гольмия для следующем количественном соотношении исходных компонентов, вес. %:Окись диспрозия 10 - 20 Окись гольмия 10 - 20 Окись иттрия Остальное.Использование диэлектрического сматериала данного состава позволяет получить тонкопленочные...