Гамбур

Номер патента: 354433

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гамбур, Мурад

МПК: G06G 7/62

Метки: индуктивности, моделирования

...ин дуктивное сопротивление с требуемой добротностью в частном случае, емкостное и омплексное сопротивление в общем случа как отдельных элементов для МСПТ.Предлагаемое устройство отличается от из вестных тем, что, с целью получения индуктивного сопротивления нужной добротности, падение напряжения с сопротивления шунта через потенциометр подается на вход усилителя мощности, выход которого присоединяется последовательно к сопротивлению шунта,На чертеже приведена схема предложенного устройства.Устройство состоит из резистора 1, падение напряжения на котором через изолирующий трансформатор 2 подается на фазосдвигающее устройство, состоящее из вторичной обмотки трансформатора 2, переменного резистора т и конденсатора 4. Выход...

Номер патента: 284452

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Арм, Гамбур

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, трансформатора

...со вторичной обмотКОЙ трансформатора 2, Второй конец котороГО сосдпнсп с условной земле 8 МСПТ. Часть 11 а 1 ряжспия с первичной обмотки трансформатораа 1 с помощью потенциомегра 4 подает ся ца вход катодного повторителя 5, выходкоторого связан со входом фазосдвигающего устройства 6 для получения сдвига фаз относительно входного напряжения катодного повторителя. Выходное напряжение фазосдвп гающего устройства подается на первичнуюОбоОтку трацсформатора 2. Кату шка тндуктпвпостп 7 учитывает индуктивное сопротивление рассеяния моделируемого авготрансформатора на МСПТ. Переключатель 8 осу 2 ч ществляет поворот фазы напряжения первичной обмотки трансформатора 2 относительно напряжения вторичной обмотки на 180. Пере.ключатсль 9...