Габузян

Номер патента: 1239576

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Абдуллаев, Габузян, Евдокимов, Муршудли

МПК: G01N 27/02

Метки: анализа, газов

...и на открытой поверхности 6, контактирую" щей с внешней средой, в зависимости от природы и заряда адсорбирующихся молекул (донорного или акцепторного типа) она расширяется в большей или меньшей степени или компенсируется. При быстром росте приложенного смещения, когда ф"медленные" поверхностные состояния не успевают перезаряжаться, растет ток через канал, образованный в приповерхностной области активного полупроводникового слоя,1 вследствие адсорбции молекул газов окружающей среды и шунтирующий переход металл полупроводник, При этом расширяется область пространственного заряда 7, увеличивается длина канала, и при достижении,напряжения смещения величины 0 критического состояния), при котором напряженность поля в приповерхностной...