G01T 3/08 — с помощью полупроводниковых детекторов

Номер патента: 302974

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Сиксин

МПК: G01T 3/08, H01J 47/12

Метки: запаздывающих, интенсивности, нейтронов

...генератором нейтронов, облучающих участок трубопровода с раствором, и р - п-детектором, регистрирующим запаздывающие нейтроны, выбирают в соответствии с необходимой скоростью движения раствора и периодом полураспада запаздывающих нейтронов. Счетное устройство из кольцевых цилиндрических полупроводниковых детекторов нейтронов непрерывно записывает интенсивность запаздывающих ней тронов.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Раствор 1, движущийся по трубопроводу 2,испускает нейтроны, которые, пройдя слои 10 оболочки детекторов 3, конвертируются в заряженные частицы в слое 4 и регистрируются слоями лолупроводников 5 и б. Нейтроны, непровзаимодействовавшие с первыми полу- проводниковыми слоями, замедляются в 15 слое 7,...

Номер патента: 934402

Опубликовано: 07.06.1982

Автор: Кульгавчук

МПК: G01T 3/08

Метки: быстрых, нейтронов, флюенса

...иначе называемым двухбаэовым диодом. ВОПТ КТ 117 в качестве материала используется кремний и"типа (и-кремний) судельным сопротивлением около 100 Ом си.Температурный коэффициент межбазовогосопротивления (ТКС) с(. довольно велик 40 (он примерно равен 7101/К). Проведенные с ОПТ КТ 117 исследования напредмет использования его в качестведозиметра быстрых нейтронов показалиследующее,При облучении КТ 117 флюенсом быстрых нейтронов реакторного спектра до (1"1,5)10"н/си межбазовое сопротив-. ление зависит от флюенса ф экспонен- циально гф= геКф (1) где го, г" межбазовое сопротивление К 1117 соответственно до и после облучения, К - константа, подлежащая определению при тарировке. При флюенсе 1"10" н/см межбазовое.сопротивление2.возрастает на 5-...