Фомихин

Номер патента: 517142

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Кешишян, Фомихин

МПК: H03K 3/315

Метки: генератор, импульсов

...через резистор 10 и открытый транзистор 2, при этэм напряжение на затворе полевого транзистэра 1 соответственно увеличивается, чтэ приводит к уменыцению угла наклона нагру зочной прямой 1. к оси напряжения (фиг,2), создаваемой сопротивлением полевого транзистора 1, При достижении напряжения на затворе (напряжение на хр онируюше м к онденсаторе 7) некоторого значения, сопро- б тивление полевого транзистора 1 увеличивается настолько, что создаваемая им нагруэочная прямая пройдет через минимум вольтамперной характеристики туннельного диода 5 (нагрузочная прямая 11 фиг. 2) и 10 произойдет переключение туннельного диода 5 на низкий уровень. При этом транзистор 3 закрывается, транзистор 4 открывается, а транзистор 2 -...