Дагновец

Номер патента: 300966

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гохфельд, Гуро, Дагновец, Ковтонюк

МПК: H05B 33/00

Метки: импульсный, источниксвета, электролюминесцентный

...импульсный источник света отличаетс, от известных тем, что в качестве излучающего свет слоя используется монокристалл полупроводника, работающий в режиме накопления свободных зарядов.Сущность накопления свободных зарядов состоит в том, что энергия в системе накапливается в течение промежутка времени, а высвечивается в виде излучения за короткий промежуток. Это позволяет создавать в полупроводнике большой уровень возбуждения и получать мощные одиночные вспышки света.Время накопления (длительность возбуждающего импульса) выбирается таким, чтобы осуществлялось максимально возможное накопление свободных зарядов при данной разности потенциа ключения импу меньше импул излучателя исп 5 сталл полупров Преимущест света является большие мощи...