Цыкина

Номер патента: 1564345

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Итимгенов, Какимжанов, Пузенко, Фикс, Цыкина

МПК: E21C 41/00

Метки: основания, отвала, подготовки

...угломс центральсимости от юсится к горной промышбыть использовано при лов на слабом обводнен(54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ОСНОВАНИЯ ОТВАЛА(57) Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при формировании отвалов на слабом основании. Цель изобретения - повышение устойчивости отвала на слабом основании. Производят подготовку основания будущего отвала. По центру площади отсыпки будущего отвала проходят центральную дренажную траншею с уклоном в направлении фронта развития отвальных работ. На той же площади с обеих сторон от центральной траншеи проходят к ней ряд боковых дренажных траншей с обратным углом встречи с ней. Боковые траншеи формируют дугообразной формы вогнутой стороной в направлении фронта развития...