Чернозатонский

Номер патента: 1233086

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Масленников, Чернозатонский

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, динамического, оптического, создания

...относится к способам создания направляющих структур для каналирования световой энергии, в частности к способам создания динамических оптических волноводов микронных размеров.Известен способ создания динамического оптического волновода, по которому целенаправленно нагревают часть среды с целью изменения показателя преломления в ней.Недостатками этого способа являются необходимость использования внешних источников тепла по всей длине формируемого волновода и большой размер последнего (сантиметры), что делает его непригодным для использования в устройствах интегральной оптики.Известен способ каналирования тепловой энергии в анизотропных кристаллах, включающий возбуждение анизотропного кристалла тепловым импульсом путем...

Номер патента: 1073900

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Масленников, Чернозатонский, Шорин

МПК: H04R 17/00

Метки: акустической, волны, поверхностной

...меняют направ-ление распространения генерируемых ОАВ.Амплитуда А переменного управляющего напряжения выбирается выше пороговой, оцениваемой из соотношения,Ъев ррвотесгде р - подвижйость носителей.При этом происходит аниэотропное и частотно-зависимое усиление тепловых акуотических шумов,. В направлении максимальной пьезосвязи ( 9 =оЗЮгенерируются пакеты акустических волн с частотой следования Р; Отражаясь от граней пластины звуко- провода 1 ОАВ и усиливаясь при каждом пробеге от грани к рани, пакеты акустических волн попадают на границу раздела пьезополупроводникпьезодиэлектрическнй звукоровод.В условиях Малой толщины пласти- ны 32 ОО мкм необходимо обеспечить достаточно большое количество отражений Н от граней, при этом потери...

Номер патента: 1034148

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Мазур, Масленников, Чернозатонский

МПК: H03H 3/02

Метки: акустических, амплитудно-частотной, волн, поверхностных, преобразователей, характеристикой

...регули "руюшего воздействия.Возбуждаемая на подложке 1 ПАВподпадает на периодическую структуру 3 и проходит ее без отражения вввиду малости массовой нагрузки пленки и малой концентрации свободных .носителей в ней. Управляющий источник 4 внешнего электромагнитноговоздействия ( например, осветительная лампа, лазер, светодиод) за счетФотоэффекта повышает концентрациюсвободных носителей. Изменение концентрации свободных носителей приводит к изменению инкремента распространения ПАВ в области расположения полупроводниковой пленки,Поскольку скорость и затухание. ПАВв покрытых пленкой местах отличают. -ся от скорости и затухания ПАВ насвободной поверхности, то на грани"це этих разнородных областей происходит отражение ПАВ. Если...

Номер патента: 577502

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Визен, Чернозатонский

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптический, дефлектор

...оптическипрозрачного клея.На чертеже дана схема акустооптического дефлектора.На ней изображены отдельные элементы решетки пьезопреобразователей 1, секции 2 д звукопровода, оптически прозрачная связка 3.Управление ультразвуковым (УЗ)-лучом при использовании многоэлементного преОбраэователя возможно только благодаря интер- зо ференции ультразвуковых пучков, излучаемых отдельными элементами преобразователя. Таким образом, для осуществления известных устройств управления УЗ-лучом необходимо наложение отдельных УЗ-пучков в общей сре. з де распространения,носксльку только при суперпозиции отдельных пучков возможна их интерференция.Однако, как было установлено, при последовательном взаимодействии оптического лу ча с отдельными УЗ-пучками...

Номер патента: 506113

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Левин, Чернозатонский

МПК: H03H 9/00

Метки: задержки, квазимонохроматического, линия, сигнала

...задержаннзяй звуковой импульс вновь распространяется по кристаллу и принимается приемчиком б. В качестве приемника задержанного звукового импульса, идущего в обратном направлении по отношению к первоначально запускаемому ззуковому сигналу, можно использовать акустико-электрический преобразователь, выбранный в качестве излучателя сигнала 2.Переменное электрическое поле в пьезополупроводнпковом кристалле создают общеизвестными способами: например, когда частота поля мечьше максвелловской частоты релаксации носителей тока, его целесообразно создавать, прикладывая к электродам 3 переменное напряжение. Когда же частоту поля выбирают много большей максвеллов506113 10 15 иг. 7 Фиг,У ской частоты, поле в области Е. кристалла целесообразно...