Богданкевич

Номер патента: 270100

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Басов, Богданкевич, Насибов

МПК: H01J 29/10, H01J 31/08

Метки: трубка, электроннолучевая

...с энергией ц плотностью, достаточнымп для обеспечения в полупроводнике инверсии уровней, падает на моцокристаллическую полупроводниковую пленку 3. При диаметре луча, сравнимом с глубиной проникновения его в кристалл, сброс инверсии за счет усиления спонтанного излучения вдоль активного слоя будет несущественным. На270100 Редактор Куклина Корректор д. И, Гаврилов ельдма Заказ 2232/3 Тираж 480 ПодписноеЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открьпнй при Совсге Министров СССРМосква, )К, Раушская паб., д. 4 г 5 ппография, пр. Сапунова личие же обратной связи за счет отражения света от гладких поверхностей системы пленка - пластина приведет к возникновению генерации в направлении нормали к поверхности.В результате разогрева активной области...