Белчевски

Номер патента: 1022272

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Белчевски, Гулый

МПК: H02M 7/537

Метки: постоянного

...обратной связи оказывается разомкнутой,ток базы транзистора 1 равен входному току 1 ц(фиг.2 а) и транзистор поддерживается в режиме насыщения. При этом напряжение между эмит.тером и коллектором транзистора 1 .равно 0(Фиг.2 в ). Транзистор 2 на интервале с-с заперт отрицао 2тельным напряжением обмотки управления трансформатора Ь и напряжение на его коллекторе примерно равно напряжению источника питания (фиг,2 г ) . На этом интервале происходит также заряд конденсатора 2 М, являющегося как и конденсатор 25 источником .перемагничивающего напряжения для трансформатора 15. Параметры насыщения трансформатора выбраны так, что время его перемагничивания из состояния -В в состояние +В несколько меньше длительности отпирающего...

Номер патента: 1001394

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Белчевски, Гулый

МПК: H02M 7/537

Метки: инвертор

...транзисторов нии отрицательного насыщения - Винвертора, К коллекторам каждогогде ВВ - индукция насыщения материа" транзистора подключены диоды 17-20, ла сердечника). В момент =о на втокоторые совместно с базовыми диода- ричной обмотке согласующего трансми 13-16, одной из обмоток насыща- форматора 7 появляется управляющее45ющихся трансформаторов 2 1 и 22 и до" напряжение с полярностью, которая полнительными диодами 23-26 образуют для транзистора 1 является отпираю- цепи нелинейной обратной евязи. Ре- щей. Транзистор 1 начинает отпираетзисторы 27-30 ограничивают ток пере- ся и по истечении времени+ф, которое магничивания насыщающихся трансфор- определяется частотными свойствами маторов 21 и 22, которые выполнены транзистора, переходит в...