Анточ

Номер патента: 1142887

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Аврам, Анточ

МПК: H03H 11/12

Метки: нижних, фильтр, частот

...распределенной емкости распределенной КС-структуры 1 и входной емкости частотно-зависимого отрицательного сопротивления 2. Компенсация вышеуказанных потерь происходит эа счет. подключения элемента с отрицательной емкостью 3 параллельно частотно-зависимому отрицательному сопротивлению 2. Путем выбора величины моделированной отрицательной емкости можно компенсировать эквивалентное значение емкости потерь в схеме фнльтра нижних частот и тем самым получить необходимую добротность полюса. Величина моделированной отрицательной емкости должна быть меньше величины эквивалентной емкости потерь. Передаточная функция фильтра нижних частот по напряжению в режиме холостого хопа имеет видсзЬ 8Н(р) "сщ+(шз о) ф(1) где 6= (рКС;К и С - полные...

Номер патента: 1109884

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Анточ, Гордиенко

МПК: H03H 11/00

Метки: активный, двухполюсник

...в"Щу Щ Щз,. ЯдЩе (, у, уЯа ЯацЦзф1 йф .ф 1 ЯвЯщ при условии, что +=1 ф ф=р Ць-рз 9 1 ФЬожи РСС КК тельную прово бозначаем с с -с; сд (с 5) ф.М(С 1+С 31 ф ьра-,иную слага вивапоСгСчКК Кв ичение добр иост ктивного двухго индуктивносриведена на олюсника, имиквивалентнаяиг. 4.Кроме тог ирую хема ктивно нду шен го и новь поте Ж ф=р Ц=Рс 3При нто эле мет габ ах, а рито.в 4 ф 3 ных с о генератор тся на конечномнии 5 и навходивного двухпоом сопротивлении аквеника,на входном го двухполюсниравно напряжеа 4, а ток, " ное внутреннее нулю. С росолучаем выр ости активн ж г где С., С, С - емкости кощенсаторов в поперечныхплечах, П-образногои Г-образногоКС-звеньев 2 й 3,"- сопротивления резисторов в продоль, ных плечах. П-образного КС-звеньев 2...

Номер патента: 1109880

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Аврам, Анточ, Димитраки

МПК: H03H 7/06

Метки: режекторный, фильтр

...цель достигается тем40что в режекторном ВС-фильтре, содержащем распределенную РС-структуру,проводящий слой, который через первыйрезистор соединен с общей шиной, пери45выи вывод резистивного слоя распределенной РС-структуры является входомрежекторного С-фильтра, и второйрезистор, второй резистор включенмежду входом режекторного ЙС-фильтраи вторым выводом резистивного слояраспределенной ЙС-структуры, причемрезистивный слой распределенной РСструктуры выполнен с промежуточнымвыводом, который является выходомрежекторного ЙС-фильтра,г 5На чертеже приведена эпектрическая принципиальная схема режекторного1 С-фильтра. Если в режекторном 1 С-фильтре на определенной частоте соблюдается условие резонанса .токов, то для настройки...