Патенты с меткой «запираемом»

Номер патента: 1707708

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Балыбердин, Гуревич, Шершнев

МПК: H02M 1/08

Метки: вентиле, высоковольтном, запираемом, ограничения, перенапряжений, тиристорном

...СЗТ определяется параметрамианодной цепи вентиля и существенно ниже,чем в случае описанной выше коммутациитока внутри ТЯ. Демпфирование процессанеоднородного нарастания напряжения наотдельных ТЯ осуществляется при зарядеконденсатора 3 в основном через резистор5 и диод 2 (существует и путь тока черезрезистор 4).Требования к индуктивности контура 35-2, частотным свойствам конденсатора 3 иего емкости те же, что и в обычных вентилях.Оценим величину сопротивления Вг резистора 5: с точки зрения ограничения Ооми, особенно Оэ оно должно быть минимальным, однако во избежание колебательныхпроцессов в контуре 1-3-5 необходимо, чтобы йв 2 р, где р - г 7 - волновоесопротивление указанного выше контура,1- его собственная индуктивность. Таким...

Номер патента: 1744771

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Абрамович, Сакович, Сидоров

МПК: H02M 1/08, H02M 7/12

Метки: запираемом, ограничения, тиристоре

...эффект наличия конденсатора, имеющего емкость в ( ф+1) раз большую, чем емкость самого конденсатора 1. Это позволяет, например, получить характер коммутационного процесса тот же, что и в схеме устройства, принятого в качестве прототипа, но достигается это при емкости конденсатора в ( 3+1) раз меньшей.На фиг, 8 приняты следующие обозначения; А - анодный ток ЗТ 6; Одк - напряжения на ЗТ 6; О 1 м - подъем напряжения на ЗТ 6, определяемый напряжением на конденсаторе в момент т 2 и напряжением на индуктивности контура УОН, связанным с быстрым переводом тока сети с ЗТ 6 на УОН; О 2 м - максимальное напряжение на ЗТ 6, соответствующее максимальному напрякению на конденсаторе 1, определяемому величиной энергии, накопленной в...