Патенты с меткой «тел1пературныхрежимов»

Номер патента: 432541

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Белов, Иванов

МПК: G06G 7/56

Метки: микросхем, моделированияи, тел1пературныхрежимов

...в корпусе транзистора 1 для него в термостате снимают температурную зависимость напряжения на переходе база-эмиттер (с/о. э) (см. фиг. 2), причем,величину тока через переход выбирают достаточно малой (менее 1 мЛ), чтобы избежать саморазогрева транзистора за счет выделяемой на переходе мощности,Собранное устройство устанавлцвают в микроэлектронном олоке, подвергающемся испытанию. При необходимости исследования распределения температур,в объеме блока,в нем устанавливают несколько устройств.Выбор оптимальных средств теплоотвода ,при разработке перспективных типовых микроэлектронных конструкций можно производить на моделях, целиком состоящих из предлагаемых устройств, при этом чувствцтельцыс элементы могут быть установлены лишь в...