Патенты с меткой «свет—заряд»

Номер патента: 347727

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Макарычев, Миколайтис

МПК: G03G 13/00

Метки: записи, линейности, преобразования, свет—заряд, улучшения, электрофотографической

...фотополупроводника зависит от напряженности поля в нем, так как с уменьшением поля увеличивается вероятность рекомбинации гепери ров апных светом пар электрон - дырка, а также вероятность захвата носителей. Обычно поле в фото- полупроводнике обусловлено поверхностным зарядом и изменяется по мере изменения поверхностного заряда при экспозиции, что ведет к изменению квантовой эффективности слоя, т, е. к нелинейности йреобразовани 5 т свет - заряд, Таким образом, преобразование будет линейно, если- при экспозиции поле В Способ улучшецц 51 линейности прсобразова.ция свет - заряд состоит в помсщеццц слоя 5 фотополупроводццка (селец цлц окись цинка)толщиной 10 - 100,11 к,5 под коцтрэлектродом, причем расстояние между цимц...