Патенты с меткой «стробируемое»

Номер патента: 1288903

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Басенко, Климов

МПК: G05B 1/01, H03K 5/24

Метки: пороговое, стробируемое

...на инверсном выходе.Резисторы 3 и 7 и полевой транзистор 1 образуют регулируемый де 15литель напряжения,Устройство работает следующим образомИсходное состояние туннельного диода 6 - низковольтное,20При 11 с Б (фиг. 2) напряженияна стоке и истоке полевого транзистора 1 равны (транзистор открыт).где 1 - пороговое напряжение;- напряжение, приложенное кзатвору. полевого транзистора 1.При изменении напряжения на затворе полевого транзистора 1 емкостизатвор-сток (С ) и затвор-исток(С ) заряжаются по цепям: выходноесопротивление источника сигнала, резисторы 3 и 7 соответственно и внутреннее сопротивление источников 4 и10, которое можно считать равным ну лю. При этом под действием заданноготока на резисторах 7 и 3 выделяетсянапряжение,...

Номер патента: 1437783

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Круминьш, Сташа

МПК: G01R 17/04

Метки: сравнения, стробируемое

...СРаВНРНИЮ С ТОКОМ СМР 1 гЕНИЯНЗ 6. Чере.з время задержки, зависяЕЕ ОТ цаКОПЛЕННОГО В гг 3 г Заряда,и 1)ас(Тацавивяет свое обратное соротивление, что приводит к разрывуепи питания линии 5, Реакцией линииЦа ТЛ Кйй Ра ЗТЭЫВ ЯВЛЯЕТСЯ С)ОГ)мгП) Она Г 1 5) ", ГГ Т 1 Уг(ГГ Г 3 Г а ГГ ГОЧ К")Г аСЛР 11013 ГТСГг,а ГГ)Р,Пцг 5 мХ т;";ЦЕЛ ЦЫХИадо , г , г,гг)гГг)ЕМРН).О фраНТ ПРреага"рГ, г:К Л Г и,) "Г: цаННРгСЯ.ГГ Лг.)3, ГГМГНГ г:ОРУ .) 5 а 1 СЛЬЦО аИМцул Ьоа С КрутЫМ (1)раТОМ И )ЛОСКОй,ЕМ 1 1 рг)татцг",1ГрОМЕ ТОГО 1)0 ггг, ) , г"гг: -г) Чала гГхл т(а) аткОглг-. ) Г ,Г "ГГ ГГ, П;-,т)аг)ГГТЛ) СЕ,1)ЕЧ 1 Х)Л" ,":3 5)1 И 1 а. ЬЦ"Ю Иа РГ З)Г"."1"Юи 1 КТ В . ТЬ ПЕЛ 1 , г) РЕЗ ПЬТЛТР УГТРа г) г 10 5 ПО МакЭС тг 11.3 111 НГ)13(1 И 5 П 1 25...