Патенты с меткой «солнечногоизлучения»

Номер патента: 851012

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Гаврилова, Колтун, Матвеев

МПК: F24J 3/02

Метки: коллектор, комбинированный, солнечногоизлучения

...4 О, 3 Ом. см. ) . Поверхность полупроводниковых, например кремниевых фотоэлементов или фотоэлементов из арсенида галлия при .глубине залегания р-п-перехода, боль шей или равной 1,5 мкм обладает необходимой для теплового преобразования энергии селективностью оптических свойств: для нее характерны высокая поглощательная способность (Ас 0,9- 0,94) в области солнечного спектра и низкая излучательная способность (Е 0,19-0,24), при этом фотоэлементы с такой глубиной залегания р-п-перехода имеют низкое последовательное сопротивление. Селективное покрытие се(0,9 и Е 0,1 должно быть нанесено н а поверхность фотоэлементов в случае,когда глубина залегания р-и-перехода меньше 1,5 мкм,поскольку без покрытия у таких элементов излуча" 40 тельная...

Номер патента: 851313

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Рябиков, Стребков, Тверьянович

МПК: G02B 5/04

Метки: концентратор, призматический, солнечногоизлучения

...между гранями 3 и 2 выхода и отраженияперпендикулярно первой из них и пересекающейся со второй по линии, расположенной с линией пересечения граней 1 и 3 входа и выхода в однойплоскости, перпендикулярной грани 2отражения. Дополнительная грань 4имеет отражающее покрытие, а грани 1и 3 входа н выхода расположены другк другу под тупым углом,Концентратор устанавливают преимущественно гранью 3 выхода параллельно излучению при нахождении солнца в зените в месте установки концентратора.Концентратор работает слецующнмобразом.Солнечное излучение падает награнь 1 входа, преломляется в болееплотной оптической среде концентра851313 формула изобретения Составитель П, Шендеровичедактор Е. Спиридонова Техред М. Табакович Корректор Г. Решетни Закаэ...