Патенты с меткой «повьгшения»

Номер патента: 191396

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Институт, Логвиненко, Савинкина

МПК: C04B 11/024, C04B 24/24

Метки: водостойкости, гипса, повьгшения

...солей от действводы и предотвращает образ на поверхности изделий. ед м ет из обретен и 15 Спосоо по тем введени ня добавки ся тем, что,20 ливация во добавки исп ионитовых с веса гипса смолы к а 25 ионной емкоИзвестны способы повышения водостойкости гипсов путем введения при помоле обожженного камня добавки синтетических смол.Цель изобретения - снижение степени высаливания водорастворимых солей.Достигается это тем, что в качестве добавки используют тонкоизмельченную смесь иоцитовых смол в количестве от 0,1 до 1% от веса гипса при соотношении катиоцитовой смолы к ациоцитовой 1: 1 по эквиваленту ионной емкости.Описываемый способ состоит в следующем.В строительный гипс, полученный из двуводного серцокислого кальция, содержащего до 2...

Номер патента: 261472

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кныш, Конченковс, Наймушин, Николаев

МПК: H02M 5/22

Метки: бестрансформаторного, переменного, повьгшения

...соединен с базой транзистора,На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит источник 1 переменного напряжения, индуктивно-емкостный преобразователь 2 (фильтр), конденсаторы 3 и 4 преобразователя, выпрямительный мост б, транзистор б, стабилитрон 7, потенциометрический делитель напряжения 8, силовой диод 9, нагрузку О, резистор 11, предотврагцающий возникновения в транзисторе режима орванная база, конденсатор 12, шунтирующпеременный резистор и являющийся также эментом фильтра для него.5 Устройство работает следующим образоПри пробое стабилитрона, т, е, при дожении на нагрузке расчетного значения напжения открывается транзистор, что вызывшунтирование конденсатора 4. При этом и10 исходит уменьшение как...